AD tranzisztor

Ötvözéses és diffúziós gyártás folyamatok egyidejű alkalmazásával készül tranzisztor. Az emitter-ötvözéssel készül olyan adalékanyaggal, mely csak kissé diffundál a kristályban. Az ötvözőanyag ugyan akkor tartalmaz egy másik komponenst is mely jól diffundál a kristályban, s az eredet ötvőzőanyaggal ellentétes típusú adalékolást hoz létre. Ötvözéskor ez utóbbi anyag az ötvözési frontot (az olvadt és szilárd anyag határfelületét) elhagyva előre szalad a kristályba, s kialakítja a tranzisztor bázisát az ötvözött részből lesz az emitter. Mivel bázis keskeny, azon kívül inhomogén szennyezőeloszlású, ezért az AD tranzisztornak jó nagyfrekvenciás tulajdonságai vannak. Modernebb technológiák kifejlődése miatt csökkent jelentősége.