Drifttranzisztor

(diffundált bázisú tranzisztor). Nagyfrekvenciás tranzisztortípus. A bázisban az adalékanyag (donor vagy akceptor atomok) koncentrációja az emmitertől a kollektor felé haladva csökken. (Ezért az angol szakirodalomban használatos a graded-base transistor kifejezés is.) A helyfüggő szennyezéskoncentráció következtében a bázisban térerő jön létre, amely a kisebbségi töltéshordozók mozgását a kollektor felé elősegíti. A térerő hatására folyó áram driftáram (vezetési áram), innen származik a tranzisztor neve. A homogén bázisszennyezést úgy létesítik, hogy a szennyezőanyagokat diffúzió útján viszik be, ezért használatos a diffundált bázisú tranzisztor elnevezés is. A - határfrekvencia növekedése a drifttér hatására mintegy 5 ...10-szeres. A diffúziós technológiával sokkal keskenyebb bázisok állíthatók elő, mint ötvözéssel, ez újabb, kb. egy nagyságrenddel növeli a határfrekvenciákat. A drifttranzisztort ma már a - mesa- és planár-epitaxiális tranzisztorok kiszorították.