Epitaxiális kristálynövesztés

Kristálynövesztés gázfázisból, amelynél a növesztett réteg (epitaxiális réteg) úgy épül fel a hordozó felületén, hogy annak kristályszerkezetét követi, tehát egykristályos hordozón egykristályos epitaxiális réteg keletkezik. Ha a hordozó és a növesztett réteg azonos anyagú, homoepitaxia, ha különböző anyagú, heteroepitaxia az eljárás neve. Leggyakrabban szilícium hordozón alkalmaznak epitaxiális kristálynövesztést, éspedig a hordozótól eltérő ohmikus ellenállású Si-réteget állítanak elő szilícium-tetraklorid (SiCl₄), triklór-szilán (SiHCl₃) stb. hidrogénes redukciója által.