Epitaxiális kristálynövesztés felhasználásával készült planár tranzisztor. A kiindulás egy erősen szennyezett, kis fajlagos ellenállású, n+-típusú szilícium szelet. Ezen epitaxia segítségével gyengén szennyezett n-réteget növesztenek, majd ebben a rétegben készül a szokásos planár-eljárással a tranzisztor. Az n+ alap biztosítja a kis soros kollektorellenállást, az n epitaxiális réteg pedig a nagy letörési fésültséget.
Lásd még:
