Fórum témák

» Több friss téma
Fórum » V-FET és SIT erősítő kapcsolások
Lapozás: OK   16 / 16
(#) mek-elek válasza tunerman hozzászólására (») Jan 8, 2026 /
 
No nem kötekedésnek, de szerintem a keresztmadzagokat meglehetett volna spórolni. Bár tulajdonképp, közöm hozzá?
(#) tunerman válasza mek-elek hozzászólására (») Jan 8, 2026 /
 
Ez a deszkamodell próba hűtőbordája, ezen semmi sem olyan mint ami a végleges erősítőben lesz - szóval kéretik így kezelni a dolgokat
TJ.
(#) tki válasza tunerman hozzászólására (») Jan 8, 2026 /
 
Egymással derékszöget bezáró keresztezések mit számítanak?
(#) tunerman válasza tki hozzászólására (») Jan 8, 2026 /
 
Mint korábban írtam ez egy deszkamodell - ezt majd szétbontom, és épìtek egy végleges elrendezésű erősítőt
(A trifiláris fojtó saját kivezetései szándékosan 35-40cm hosszúak, hogy elérjenek a megfelelő poziciókba.)
TJ.
(#) tunerman válasza tunerman hozzászólására (») Jan 9, 2026 / 1
 
Első mérés a működő Trip-FET trifilar unity coupled SE amplifier prototype modellről.
Fotó: 20kHz/5v/div
(megkérem a HE szagértő csapattagokat, hogy deszkamodell vezetékezésének a mikéntjéről tovább ne értekezenek )
TJ
(#) tki válasza tunerman hozzászólására (») Jan 9, 2026 /
 
Akkor átfogalmazom, mert valószínűleg félreérthető volt:

Egymással derékszöget bezáró keresztezések nem számítanak. Szerintem.
(#) tunerman válasza tunerman hozzászólására (») Jan 10, 2026 /
 
Az egy nap alatti "bűvészkedéssel" a következő műszaki paramétereket sikerült elérni a Trip-FET trifilar unity coupled SE deszkamodellnek nevezett drótkupacával:

- THD/1kHz/1W/15R: 0,03%
- Frekvenciamenet 1W/15R: 10Hz - 400kHz -3dB
- Teljesítmény frekvenciamenet: 6,5W/8R 15Hz - 300kHz -3dB
- THD/1kHz/6,5W/8R: 0,25%
- Munkaponti áram: 0,7A/15R vagy 1A/8R terhelésnél
Fotó melléklet: 100Hz négyszögjel 5v/div
TJ.
A hozzászólás módosítva: Jan 10, 2026
(#) tunerman válasza tunerman hozzászólására (») Jan 12, 2026 /
 
A következő gondolatom támadt a driver fokozattal kapcsolatban:

A trifiláris fojtó meghajtási pontjai nagyjából szimmetrikusak lettek, de a driver drain és source köre továbbra sem az, mert a TO-3 tok/drain a testelt hűtőborda felé kapacítást mutat - nem is keveset (korábbi összehasonlító mérésről fotók mellékelve).
Ezért a frissen berakott Siliconix VMP-1 V-MOSPOWER FET drivert alumina/ceramic szigetelő alátéttel láttam el. A mérések a driver csere és a kisebb parazita kapacitás hatására javuló paramétereket mutattak

- THD/1kHz/1W/15R: 0,02%
- THD/1kHz/3W/15R: 0,08%
- THD/1kHz/6W/8R: 0,16%
TJ.
(#) tunerman válasza tunerman hozzászólására (») Jan 15, 2026 / 1
 
Újabb deszkamodell mérésekről teszek fel fotókat, miután a TO-3 tokozású VMP1 driver drain köri parazita kapacítását megszüntettem a testelt hűtőborda felé

Az első fotó a hagyományosnak mondható 20kHz-es négyszögjelet mutatja 5v/div állásban.
A második fotó szerintem egyedülálló a High End single ended erősítők világában, ez 100kHz-es négyszögjellel készült - 1usec/2v/div állásban.
(Aki műszaki beállítottságú, mérésekkel is foglalkozó érdeklődő, ez számukra régóta várt elemzésre ad lehetőséget.)
TJ.
(#) tunerman válasza tunerman hozzászólására (») Hé, 16:52 /
 
A trifilar unity coupled SE kimenet előtt van az Altec 15095 line transformer mint feszültségerősítő fokozat.

Ennek a line trafónak egy Natonal Semiconductor LH0033CJ buffer lesz a bemeneti meghajtója, a 10 kHz-es négyszögméréséről teszek fel fotót (input 0,2v/div, output 2v/div)
TJ.
(#) tunerman válasza tunerman hozzászólására (») Sze, 17:50 /
 
Elérkezett a napja a Trip-FET trifilar unity coupled SE összeszerelt deszkamodelljének (Altec 15095 transformator + Trip-FET output) az első bemérésének.

A trifiláris fojtó egy, a kimenetnek használt tekercse 1kHz-en 8v eff. feszültséget adott le a 15 ohmos terhelésre, a négyszögjelek àtviteléről a fotók mellékelve
( 100Hz/1kHz/10kHz/10v/div. ).
TJ.
(#) tunerman válasza tunerman hozzászólására (») Csü, 7:41 /
 
Az erősítőben megvalósított " ideal MOSFET " ötletéről írnék néhány fontos információt.

- a Trip-FET elnevezés valójában 3 párhuzamosan működő MOSFET - et jelent
- ebben a két laterális MOSFET anti parallel SE (APSE) kapcsolásban van
- a driver V-MOSPOWER FET vezérli a két laterális MOSFET -et
- mivel ez a Trip-FET az unity coupled elve szerint az L1/L3 tekercsek között van, rajta működés közben feszültség esik
- ez a vezérlési "ablak" a Q1 DS és a Q2/Q3 GS feszültsége (kb. 7-8v)
- a prototípusban használt aktív eszközök esetén ez az " ablak " A és B pontok között van, és ez csökkenti a hasznos kivezérlési tartományt.

Oszcilloszkóp fotó mellékelve a felső "A" és az alsó "B" ponton látható jelalakról.
TJ.
(#) majkimester válasza tunerman hozzászólására (») Csü, 8:38 /
 
Nem akarod inkább TripleFET-nek nevezni? Trip-et elektronikában például arra használják, amikor a biztosíték kiolvad vagy más túláram védelem megszólal, nem túl szerencsés névválasztás.
(#) tunerman válasza majkimester hozzászólására (») Csü, 8:54 /
 
Mielőtt véglegesnek elneveztem volna ezt a 3 párhuzamosan kötőtt MOSFET elgondolásomat - én is végigböngésztem az internetet

Nagyon sok, egymástól különböző kapcsolási megoldásokra használják a triple FET elnevezést, ezért azt névválasztást elvetettem. Lerövidítve viszont egyedinek tűnik az elnevezése, és talán nem tévesztik össze a más témájú kapcsolásokkal.
TJ.
Következő: »»   16 / 16
Bejelentkezés

Belépés

Hirdetés
XDT.hu
Az oldalon sütiket használunk a helyes működéshez. Bővebb információt az adatvédelmi szabályzatban olvashatsz. Megértettem