Növesztett eljárással előállított tranzisztor. Donor és akceptor szennyezést tartalmazó félvezető anyag olvadékából egykristályt húznak. A szennyezőanyagok koncentrációja a megszilárduló kristályban függ a kristályhúzás sebességétől, mégpedig különbözőképpen az akceptor és donor atomok esetén. Ezért változtatgatva a húzási sebességet, a megszilárduló kristály sávokban hol p-, hol n-típusú lesz. Megfelelően felszeletelve így pnp- vagy npn-tranzisztorok készíthetők. A technológia nem különösen termelékeny, a hozzávezetések (különösen a bázis-hozzávezetés) létesítése nehéz, ezért jelentősége csekély, inkább tudománytörténet szempontból érdekes.
Lásd még:
