Én is erre gondoltam. Van pár bontott 50A-es IGBT tranyóm, 270W disszipációs limittel, és kísérletezgetnék vele, de előtte rákérdeztem.

Kb. ugyanúgy működik mint FET-el. A maradékfeszültségnek akkor van jelentősége, ha számít, hogy mennyire tudod megközelíteni a "nyers tápfesz" értékét.

Nézegettem IGBT paramétereket, a maradék fesz ugyanabban a tartományban mozog, mint a bipoláris tranzisztoroké, úgy hogy egyáltalán nem vészes ez a része.
Aztán ritka az olyan labortáp, ahol ilyen LOW DROP megoldás kell.

Tokozás kérdése is. Egy TO247 tok esetében a 270W csak elméleti érték... Pontosabban rövid ideig tudhat ennyit, amíg fel nem melegszik. Az LPSU ban használt FET-nek (IRFP90N20 ha jól emlékszem) is valami 600W a teljesítmény az elméleti maximuma. Ezt a chip hőmérséklete, és a chip-től a hűtőbordáig tartó hőellenállás, és maga a borda hőmérséklete korlátozza.

Tehát inkább az a kérdés, hogy milyen tokozású az az IGBT, és mekkora a hőellenállás a chip, és a tokozás ill. a borda között. Valamint, hogy mennyire melegszik fel a borda, adott teljesítménytől.

Ha van pl. kapcsolóüzemű előszabályozás (hogy kicsi legyen a disszipáció), akkor már nem is olyan ritka.
Pl. a régebben Attila86 által közzétett tápban is 0,6...1V körüli maradékfesszel megy a FET, úgy hogy ebből még van bőven szabályozási tatománya is! Ez pl. IGBT-vel már nem menne.

Jogos, de szerintem ugyanúgy párhuzamosíthatóak, mint a fetek, vagy bipoláris tranzisztorok, ha egyedül nem boldogul.

Igen, a fetnél a nagyon alacsony csatorna ellenállás miatt ez működhet, de sem bipolárisnál, sem IGBT-nél nem lehet ennyire kihegyezni.

De nem is ez a cél.

Konkrétan mi a típusa annak az IGBT-nek, be tudnál linkelni egy adatlapot?

IRGP4750D International Rectifier gyártmány.

( Furcsa a rajzjele, én más IGBT jelre emlékeztem. Más adatlapon pl. Fairchild, nem ez a jele. )

Mit jelölhet az eltérő rajzjel, valami technológiai különbség talán?

Az adatlapon alul is más a jele a mérő kapcsolásokban.
Lehet hogy csak új szabvány?

Szerintem a jobb oldali IGBT rajzjel a korrektebb.
Az adatai alapján egyébként gyengébben teljesítene, mint az eredetileg javasolt IRFP90N20 FET, a tokozás hőellenállása több mint 2x akkora, azaz jóval kisebb teljesítmény elfűtésére képes, azonos körülmények között, mint az említett FET.
Tehát azt lehet mondani, hogy ez az IGBT jobbhijján beépíthető ugyan a tápba, de max. kb. 100W disszipációig. (tehát pl. 50V / 2A is már határeset lenne)
Párhuzamosítani akkor lehetne többet, ha össze vannak válogatva a hasonló nyitófeszültségű ill. hasonló karakterisztikájú példányok.

Aminek valamennyire lenne értelme, az olyasmi, mint a csatolt PDF-ben.
Bár ezek az eszközök elsősorban kapcslóüzemre ajánlottak (de azért analógban is működnek).

Már nincs IR, megvette az Infineon. Nem analóg és kisfeszültségű üzemre való és így nem is költséghatékony egy IGBT-s áteresztő tápegyég.

Nem akarom vele megváltani a világot, de ha már van, játszani jó.
Az meg, hogy egy tranzisztor mire van optimalizálva, az nem jelenti azt, hogy másra nem használható. Az ott számít, amikor egy kereskedelmi terméket kell a leghatékonyabbra, legmegbízhatóbbra tervezni, és akkor nyilván figyelembe veszik ezeket az adatokat is.
De minden tranzisztort, bármennyire is kapcsolónak van optimalizálva, lehet használni lineáris üzemmódban is, és ez fordítva is igaz.
Amikor kapcsoló üzemű tápegységeket terveztem úgy kb. negyven éve, a legjobb hatásfokú áramkört sima BD sorozatú tranzisztorokkal sikerült elérnem. Pedig már volt rengeteg kifejezetten kapcsoló üzemre ajánlott alternatíva is.

Ezt nem követtem, de most már értem, hogy amikor egy IR termék adatlapját keresem, miért mindig az Infineont dobja be a kereső.