Akkor fordul elő, amikor a tranzisztor bázisában a kollektor-bázis-átmenet környezetében levő kiürített réteg a nagy kollektorfeszültség következtében úgy kiszélesedik, hogy eléri az emiter-bázis-átmenet kiürített rétegét. Ekkor a tranzisztor kollektorárama igen nagy mértékben, elvileg végtelenné megnő, azaz a tranzisztor működésképtelen lesz.

• kiürített réteg

(Earty-effektus). A tranzisztor hatásos bázisszélességének változása a kollektorfeszültség hatására. A kollektor-bázis-átmenetnél kiürített réteg keletkezik, melynek egy része a bázisba terjed ki. A tranzisztor működésének szempontjából a bázis fennmaradó része a hatásos: Mivel ennek szélessége így függ a kollektorfeszültségtől, ezért a tranzisztor minden paramétere, mely függ a bázisvastagságtól, egyben függ a kollektorfeszültségtől is. A eredményeképpen a kollektorfeszültség bizonyos hányada megjelenik az emitter-bázis között is, ez a tranzisztor-visszahatás. Ezer kívül állandó emitteráram mellett is változik a kollektoráram, ha változik a kollektor. feszültség, mivel változik az áramerősítés tényező. Ez véges kimeneti impedanciát eredményez, az ideális végtelenhez képest

• tranzisztor
• kiürített réteg
• áramerősítés tényező

Tranzisztorok bázisának effektív, elektromos hatásos szélessége. A geometriai bázisszélességből levonódik a bázis-kollektor, ill. a bázis-emitter-átmenetnél létrejövő kiürített réteg vastagsága. Ez a tény módosítja a tranzisztor működését (bázisszélesség-moduláció, átszúrás).

• tranzisztor
• bázisszélesség-moduláció
• átszúrás

Fényenergiát elektromos energiává átalakító eszköz. Lényegében egy nagyfelületű pn-átmenetből All. A kiürített rétegbe érkező fotonok ott megfelelő körülmények esetén lyuk-elektron párokat keltenek. Az itt levő térerő a lyukakat a p-, az elektronokat az n-oldalra sodorja. Az így keletkező áram a fotóáram. Ennek eredményeképpen töltésfelhalmozódás keletkezik, a p- és n-oldal különböző feszültségre kerül, és a külső kapcsokon ez a feszültség mint kapocsfeszültség megjelenik: a fényelem telepként működik. Ha a fényforrás a nap, a fényelem neve - napelem. A hatásfoka általában néhány százalék, kapocsfeszültsége - szilíciumból készült eszköz esetén 1 V-nál lényegesen kisebb.

• pn-átmenet
• kiürített réteg
• foton

Fény érzékelésére használt pnátmenet. A fotodiódát záróirányban feszítik elő. A kiürített rétegben a beeső fotonok hatására lyuk-elektron párok keletkeznek. Az ott levő térerő a lyukakat és elektronokat ellentétes irányba sodorja, így fotoáram keletkezik. Ezen áram mérésével mérhető a beeső fény. A fotodióda anyagától függően bizonyos hullámhossz-tartományba eső fényt képes indikálni.

• pn-átmenet
• kiürített réteg
• foton

A pn-átmenet kiürített rétegében keletkező áram. A kiürített rétegben, mivel itt a - töltéshordozók sűrűsége sokkal kisebb az egyensúlyinál - a rekombináció csökken, de a töltéshordozók keletkezése változatlan marad (ez elsősorban a hőmérséklet függvénye). Mivel egyensúlyi töltéshordozó-sűrűségénél a generáció és a rekombináció egymással egyenlő, a kiürített rétegben a generáció túlsúlyba kerül, ami záróirányú áramot eredményez. Ez az áram a generációs-rekombinációs áram, arányos a kiürített réteg térfogatával, s így a vastagságával, az utóbbi viszont függ a zárófeszültségtől. Ezért a generációs-rekombinációs áram azt eredményezi, hogy a pn-átmenet záróirányú árama nem lesz független a feszültségtől.

• pn-átmenet
• kiürített réteg
• rekombináció

Bipoláris tranzisztorokban nagy áramsűrűségeknél fellépő jelenség, a kollektor-bázis-átmenet látszólagos elmozdulása a kollektor felé. Mivel a kiürített rétegben nagy áramsűrűségek esetén a töltéshordozók töltéssűrűsége összemérhető a helyhez kötött szennyező atomionok töltéssűrűségével, ezért a kiürített réteg bázisba eső részében az eredő töltéssűrűség nő, a kollektorba eső részében pedig csökken.

• kiürített réteg

pn-átmenetben keletkező réteg. A pn-átmenet környékérői a töltéshordozók túlnyomó többsége eldiffundál, s a kristályba beépült adalékatom-ionok elektromos töltése kompenzálatlan marad, azaz tértöltés keletkezik. Ezért a kiürített rétegben nagy térerő és jelentős feszültségesés jön létre. A kiürített réteg szélessége, így a benne levő töltésmennyiség függ a pn-átmenetre kapcsolt feszültségtől, ami kapacitást jelent ( átmeneti kapacitás).

• töltéshordozó
• átmeneti kapacitás

(graded junction). pn-átmenet, ahol mindkét oldalon az adalékanyagkoncentráció a pn-átmenettől számított távolsággal lineárisan nő. A lineáris átmenet kiürített rétegének kapacitása a feszültségtői C = K . U^-1/3 alakban függ (C a kapacitás, U a záróirányú feszültség, k konstans); erről a lineáris átmenet felismerhető. Tiszta lineáris átmenet jobbára csak elméletileg létezik; bizonyos körülmények között a diffúzió segítségével készült pn-átmenetek lineáris átmenetnek tekinthetők. A letörési feszültség csökken, ha az adalékeloszlás meredeksége nő.

• pn-átmenet
• kiürített réteg
• letörési feszültség
• diffúzió

Mikrohullámú jelek erősítésére alkalmas tranzisztor. Az áramkiszorítás jelensége miatt nagy áramsűrűségeknél az emittereknek csak a kerülete emittál. Ugyanakkor a kiürített réteg kapacitásának csökkentése, azaz a nagy határfrekvencia megkívánja a. kis emitterterületet. Az emitter lineáris méretének csökkentésével a kerülete egyre nagyobb lesz a területéhez képest. Ezért az overlay tranzisztorban igen sok független kis emittert alakítanak ki, egy aránylag nagyfelületű bázisrétegben. A bázisrétegben, mely p-típusú, az ohmikus ellenállás csökkentésére rácsszerűen p⁺ diffundált csíkokat hoznak létre, és egy-egy rácspontba kerül az n⁺-típusú emitter. A félvezető alaptömb (n+-típusú) maga a kollektor. Az emitterekhez ablakokat nyitnak, majd 2-2 sor emittert egy fém csíkkal átfednek. Az emitterek között levő p⁺ báziscsíkokat ez a fém csík átfedi, rövidzárt azonban nem okoz, mert közben van egy oxidréteg. Az overlay szó ezen átfedésből származik.

• tranzisztor
• határfrekvencia
• félvezető

pn-átmenet, ahol az adalékanyag-koncentráció a pn-átmenetnél ugrásszerűen változik, a p-, ill. n-oldalon pedig homogén, helytől független. ugrásszerű átmenet ötvözéssel epitaxiális kristály növesztéssel állítható elő, de bizonyos körülmények között a diffúziós átmenet is hasonlóan viselkedhet. Az ugrásszerű átmenet kiürített rétegének kapacitása

C = const (U)^-1/2

alakban függ a külső feszültségtől, letörési feszültségét pedig a gyengébben szennyezett oldal adalékanyag-koncentrációja szabja meg.

• pn-átmenet
• epitaxiális kristály
• letörési feszültség