pn-átmenet, ahol az adalékanyag-koncentráció a pn-átmenetnél ugrásszerűen változik, a p-, ill. n-oldalon pedig homogén, helytől független. ugrásszerű átmenet ötvözéssel epitaxiális kristály növesztéssel állítható elő, de bizonyos körülmények között a diffúziós átmenet is hasonlóan viselkedhet. Az ugrásszerű átmenet kiürített rétegének kapacitása
C = const (U)-1/2
alakban függ a külső feszültségtől, letörési feszültségét pedig a gyengébben szennyezett oldal adalékanyag-koncentrációja szabja meg.
Lásd még:
