Félvezető eszközök kristályanyagának hőmérséklete, mely a működés közben keletkező disszipációs teljesítmény következtében magasabb, mint a környezeti hőmérséklet. A disszipációs teljesítmény elsősorban a pn-átmenetek környékén keletkezik, ezért viszonylag nagy kiterjedésű kristály esetén a kristály különböző pontjai más-más hőmérsékletűek lehetnek. Ekkor kristályhőmérsékleten a kristály azon területének hőmérséklete értendő, ahol a disszipációs teljesítmény kiválása miatt a legmagasabb a hőmérséklet. A kristályhőmérséklet növekedése bizonyos határon túl a félvezető eszközt működésképtelenné teszi. Germánium kristály esetén ez kb. 90 °C, szilícium esetén 150...200 °C.
Lásd még:
