Olyan tranzisztor, amelynek megengedett disszipációs teljesítménye viszonylag nagy (kb. 1 W-nál nagyobb). A disszipációs határok kW nagyságig terjedhetnek; az áramhatárok néhány száz A-ig terjedhetnek; a feszültséghatár jelenleg mintegy 1500 V. Készülhet germániumból és szilíciumból. Germánium teljesítménytranzisztorok szinte kizárólag - ötvözött tranzisztorok, jelentőségük egyre csökken. A szilícium teljesítménytranzisztorok a legkülönfélébb technológiával készülhetnek, ezek között azonban az ötvözéses tranzisztorok jelentősége nem nagy. A diffúziós technikával készült szilícium teljesítménytranzisztorok egyszeresen vagy háromszorosan diffundáltatottak. Előbbiek kis feszültségű, kis határfrekvenciájú, és olcsó típusok. Utóbbiak igen nagy feszültségűek lehetnek, határfrekvenciájuk is magasabb, de drágábbak és második letörésre hajlamosabbak. Szilícium teljesítménytranzisztorok készülnek planáris-epitaxiális tranzisztorként is.
Lásd még:
