A Static Induction Transistor és a V-FET egyik legfontosabb tanulsága nem az, hogy milyen eszközt használtak, hanem az, hogyan viselkedett az erősítő. Ha ezt a viselkedést keressük, akkor a kérdés nem az, hogy „melyik MOSFET hasonlít legjobban”, hanem az, hogy milyen áramköri környezetben képes a MOSFET hasonlóan működni.

A cél tehát nem a tökéletes másolat, hanem egy SIT-szerű működési tartomány létrehozása.

1. Küszöbmentesség „elmossása” – source-degeneráció

A MOSFET alapvetően küszöbfeszültséghez kötött eszköz, ami élesen elválasztja a nemvezető és a vezető állapotot. Ez önmagában ellentétes a SIT szemléletével.

A legegyszerűbb és leghatásosabb lépés:
source-ellenállás alkalmazása.

Ez:

• lokális negatív visszacsatolást hoz létre,

• csökkenti a transzkonduktancia meredekségét,

• „széthúzza” a küszöbtartományt.

Az eredmény: a MOSFET nem kapcsol, hanem modulál – közelebb kerül a térvezérelt viselkedéshez.

2. Single-Ended Class A – folyamatos áram, nincs keresztezés

A SIT és a V-FET egyik legfontosabb tulajdonsága, hogy soha nem kapcsol ki teljesen. Ezt MOSFET-tel legjobban single-ended Class A üzemben lehet megközelíteni.

Ebben az üzemmódban:

• az áram folyamatos,

• nincs keresztezési torzítás,

• a jel nem „átvált”, hanem „eltolódik”.

Ez önmagában sokkal nagyobb lépés a SIT-szerű hang irányába, mint bármilyen alkatrészcsere.

3. Áramvezérelt szemlélet – nem feszültségerősítőként gondolkodni

A MOSFET-es erősítők tipikusan feszültségerősítők. A SIT viszont áramdomináns eszköz.

Ennek megközelítése MOSFET-tel:

• áramgenerátoros terhelések,

• ellenállásos (nem aktív) drain-terhelés,

• egyszerű transzkonduktancia-fokozatok.

Itt a cél az, hogy a jel áramváltozásként jelenjen meg először, és csak másodlagosan alakuljon feszültséggé.

4. Aszimmetrikus munkapont – „triódás” torzítási spektrum

A SIT torzítása nem azért „szép”, mert kicsi, hanem mert fokozatos és alacsony rendű.

MOSFET-tel ezt így lehet közelíteni:

• aszimmetrikus munkapont beállítás,

• single-ended topológia,

• minimális globális visszacsatolás.

Ez tudatos tervezői döntés: nem a mért THD minimalizálása a cél, hanem a torzítás jellegének kontrollja.

5. Kaszkód – amikor kell, de nem mindenáron

A SIT egyik előnye a stabil csatorna és a kis feszültségfüggés. MOSFET-eknél ezt kaszkód alkalmazásával lehet részben megközelíteni.

Fontos azonban:

• a kaszkód nem kötelező,

• túlhasználva elidegeníti a hangot,

• csak akkor érdemes, ha a feszültségváltozás valóban problémát okoz.

A SIT-szerű irány inkább az egyszerűség, nem a maximalizmus felé mutat.

6. Mit nem lehet visszahozni MOSFET-tel?

Ez legalább ilyen fontos.

MOSFET-tel nem reprodukálható teljesen:

• a SIT csatornageometriából fakadó természetes áramkorlátozás,

• a valódi térvezérelt viselkedés,

• az eszközszintű „triódás” karakter.

Ezért minden MOSFET-es megoldás közelítés, nem helyettesítés.

Összegzés

A SIT / V-FET működés MOSFET-tel nem egy alkatrészválasztás kérdése, hanem tervezési filozófia.
Single-ended Class A, source-degeneráció, áramvezérelt gondolkodás és mérsékelt visszacsatolás – ezek együtt képesek SIT-ízű viselkedést létrehozni, még akkor is, ha az eszköz fizikailag más.

A tanulság ugyanaz, mint a teljes cikksorozaté:

Nem azt kell másolni, ami látszik, hanem azt, ami működik.