|
|
|
Ötvözéses és diffúziós gyártás folyamatok egyidejű alkalmazásával készül tranzisztor. Az emitter-ötvözéssel készül olyan adalékanyaggal, mely csak kissé diffundál a kristályban. Az ötvözőanyag ugyan akkor tartalmaz egy másik komponenst is mely jól diffundál a kristályban, s az eredet ötvőzőanyaggal ellentétes típusú adalékolást hoz létre. Ötvözéskor ez utóbbi anyag az ötvözési frontot (az olvadt és szilárd anyag határfelületét) elhagyva előre szalad a kristályba, s kialakítja a tranzisztor bázisát az ötvözött részből lesz az emitter. Mivel bázis keskeny, azon kívül inhomogén szennyezőeloszlású, ezért az AD tranzisztornak jó nagyfrekvenciás tulajdonságai vannak. Modernebb technológiák kifejlődése miatt csökkent jelentősége. Lásd még:
Erősítők kimeneti karakterisztikáján értelmezhető tartomány, amelyben a bemeneti vezérlés függvényében a kimeneti áram folyamatosan változik. Tranzisztoroknál az aktív tartományra jellemző, hogy az emitter-bázis - dióda nyitott, a kollektor-bázis dióda lezárt állapotban van. Lásd még:
Rezgéskeltő (oszcillátor) áramkörben az amplitúdónak egy meghatározott értéken való stabilizálása, ami minden ilyen jellegű áramkörbe kívánatos. Elektroncsöves generátoroknál ezt a stabilizálást a rácsfeszültség automatikus szabályozásával végzik. E célra szolgál az a rácskomplexum, amely a rácsáramkörbe iktatott kondenzátorból (rácskondenzátor) és ellenállásból (rácslevezető ellenállás) áll. Nagyobb amplitúdónál növekszik a rácsáram, ami a rácslevezető ellenálláson nagyobb (negatív) rácselőfeszültséget létesít. Ennek következtében azután a munkapont a jelleggörbe negatívabb irányában tolódik el, miáltal az amplitúdó az eredeti értékre csökken.
Más rendszerű, tranzisztoros generátornál vagy olyan kapcsolásnál, ahol nem lép fel rácsáram, az átfolyó áram által szabályozott ellenállású alkatrészt - pl. termisztort, izzólámpát stb. - tartalmazó áramkört szoktak alkalmazni.
Lásd még:
Az elektromágneses hullámok kibocsátására, ill. felfogására szolgáló
eszköz. A rádiózásban, a televíziós adásban és
vételben nagy a jelentősége. Az antenna (mind az adó-, mind a vevő-) akkor
szolgáltatja a legjobb eredményt, ha méretei
megfelelnek a kisugározni, ill. venni kívánt elektromágneses hullám
hosszának. A hosszú-, közép- és rövidhullámú
rádióvételhez egy huzaldarab is elegendő. Az URH-adás vételéhez már
kétpólusú, ún. dipólantenna szükséges A még rövidebb
hullámhosszú, televíziós adás vétele pedig további elemekkel (ún.
parazita elemekkel, direktorokkal és reflektorokkal)
kiegészített dipólantennával lehetséges kielégítő minőségben. Ezek az
ún. Yagiantennak. A dipólantenna, ill. a dipólből és kiegészítő
elemekből álló antenna irányérzékeny: a venni kivánt adó irányába kell
forgatni. Tranzisztoros rádiókban ún. ferritantenna van. Ez egy
aránylag nagy méretű és mágneses szempontból jó minőségű (ferrit)
vasmaggal ellátott tekercs. Szintén irányérzékeny.
Lásd még:
Elektronikus eszközökben (tranzisztorokban, elektroncsövekben) fellépő jelenség, amikor egy elektródán befolyó áram az eszközökön belül megoszlik két részre, melyek más-más elektródán keresztül lépnek ki. Tranzisztorokban a bázisba belépő emitteráram megoszlik a bázisáramra, valamint az innen a kollektorba továbbfolyó kollektaráramra. pentóda esetén a katódból kilépő emissziós áram, melynek nagyobb része az anódba, kisebb része a segédrácsba jut. Általában káros jelenség, mivel csökkenti a kimenetre jutó hasznos áramot, azon kívül megnöveli az eszköz elektronikus zaját. Kivételek a keverőcsövek (többelektródás elektroncsövek), ahol a keverés az árameloszlás változtatásával valósul meg. Lásd még:
(áramkapcsolás logika). A logikai rendszerek azon osztálya, melyekben nemlineáris elemek - általában diódák, tranzisztorok - konstans áramot két vagy több áramág között osztanak szét.
Aranyatomok diffundáltatása félvezető anyagba. A kristályba beépült aranyatomok csökkentik a kisebbségi töltéshordozók élettartamát. Mivel á félvezető eszközök kapcsolási idejét nagymértékben nneghatározza a kisebbségi töltéshordozók élettartama, ezért az aranydiffúzió segítségével jelentősen növelhető az eszköz. (dióda, tranzisztor) kapcsolási gyorsasága. Az aranykoncentráció növelése a kapcsolási idők csökkenését eredményezi. Határt szab ennek azonban az, hogy az aranykoncentráció nem érheti el a félvezető anyagban levő donor vagy akceptor szennyezésének koncentrációját, mert ekkor az eszköz működésképtelen lesz. Lásd még:
Az áteresztő tranzisztort stabilizátorokban alkalmazzák. A stabilizátorból a terhelésbe folyó áram az áteresztő tranzisztoron halad keresztül. A stabilizátorban levő elektromos áramkör úgy vezérli az áteresztő tranzisztort, hogy a hálózatból eredő feszültségingadozásokkal azonos mértékben változzon az áteresztő tranzisztoron eső feszültség, így a stabilizátor kimenetén megjelenő feszültség állandó értékű Iesz. Így működik az áteresztő tranzisztoros feszültségstabilizátor. Áramstabilizátor esetén az elektronika úgy vezérli az áteresztő tranzisztort, hogy a rajta átfolyó áram állandó legyen. Lásd még:
Akkor fordul elő, amikor a tranzisztor bázisában a kollektor-bázis-átmenet környezetében levő kiürített réteg a nagy kollektorfeszültség következtében úgy kiszélesedik, hogy eléri az emiter-bázis-átmenet kiürített rétegét. Ekkor a tranzisztor kollektorárama igen nagy mértékben, elvileg végtelenné megnő, azaz a tranzisztor működésképtelen lesz. Lásd még:
(Earty-effektus). A tranzisztor hatásos bázisszélességének változása a kollektorfeszültség hatására. A kollektor-bázis-átmenetnél kiürített réteg keletkezik, melynek egy része a bázisba terjed ki. A tranzisztor működésének szempontjából a bázis fennmaradó része a hatásos: Mivel ennek szélessége így függ a kollektorfeszültségtől, ezért a tranzisztor minden paramétere, mely függ a bázisvastagságtól, egyben függ a kollektorfeszültségtől is. A eredményeképpen a kollektorfeszültség bizonyos hányada megjelenik az emitter-bázis között is, ez a tranzisztor-visszahatás. Ezer kívül állandó emitteráram mellett is változik a kollektoráram, ha változik a kollektor. feszültség, mivel változik az áramerősítés tényező. Ez véges kimeneti impedanciát eredményez, az ideális végtelenhez képest Lásd még:
Földelt emitteres rendszerben használt tranzisztor áramerősítését kifejező számadat, kifejezi a bázisáram változása és a kollektor áram változása arányát, állandó kollektor feszültség esetén.
Két pn-átmenettel rendelkező tranzisztor, a hagyományos tranzisztor megfelelője. A bipoláris szó a később jelentőségre szert tett - térvezérelt tranzisztortól való elhatárolás miatt használatos, s arra utal, hogy az áramvezetésben mind a lyukak, mind az elektronok résztvesznek. Lásd még:
(logikai algebra, kapcsolás algebra). George Boole angol matematikus által az ítéleteken végzett műveletek leírására kidolgozott algebrarendszer. Ítéleten olyan kijelentést vagy állítást értünk, amely vagy igaz, vagy nem (ekkor hamis). Az igaz kijelentéshez vagy állításhoz az 1, a hamishoz a 0 jelet rendeljük hozzá. Így az igazi ítélet logikai értéke 1, hamis itéleté 0. Az ítéletet jelentő egyszerű állító vagy tagadó tőmondatot a Boole-algebra általában valamilyen betűvel jelöli (szimbolizálja). Ily módon válik lehetővé, hogy az ítéletek egy-egy betűvel szimbolizált algebrai alakot nyerjenek. Az ítéleteken műveletek végezhetők, ezek a műveletek a logikai műveletek (pl. negáció, konjunkció). A logikai művelet eredménye ismét ítélet. A művelet eredményeképp kapott új ítélet logikai értéke a műveletben résztvevő ítéletek logikai értékétől függ.
A Boole-algebra lehetővé teszi, hogy az ítéletekből függvényeket képezzünk, ezek a - Boole-függvények. A logikai függvények osztályozásának egyik legfontosabb módja a benne szereplő változók száma alapján történik. Így előállíthatók egy-, két- stb. változós függvények. Egyváltozós függvényen végezhető logikai művelet, a negáció. Kétváltozós függvényen már 24=16 művelet végezhető, ezért két változóval már 16 különböző logikai függvény képezhető. "k" számú változónak 2k számú különböző állapota lehet, ezért k változóval összesen 22k számú logikai függvény képezhető. Gyakorlatban a kétváltozós logikai műveleteknek van nagy jelentőségük, ezekből származnak a logikai alapműveletek. A kétváltozós függvényekre értelmezett logikai műveletek általánosíthatók több változóra, ily módon hozhatók létre a többváltozóval képzett gyakorlatban használt logikai függvények.
A logikai műveleteket jelfogós, elektroncsöves. tranzisztoros, integrált áramkörös, ferritmagos stb. kapcsolásokkal lehet realizálni. Ezeket a kapcsolásokat kapuáramköröknek nevezik, Így hozhatók létre pl. elektroncsöves, tranzisztoros stb. kapcsolóáramkörök. Ez a magyarázata annak, hogy a Boole-algebrat gyakran kapcsolás algebrának nevezik.
A Boole által felépített szimbolikus logikát továbbfejlesztették, kiegészítették, elnevezése eközben változatlan maradt. Igen nagy jelentőségű Shannon munkássága, aki 1937-ben először alkalmazta a Boole-algebrat jelfogókkal felépített logikai áramkörök tervezésére. A Boole-algebra a digitális információfeldolgozás egyik elméleti alaptudománya.
Lásd még:
Egy csővel, vagy egy tranzisztorral kialakított közbenső fokozat, melynek célja az előző és következő fokozat egymásra hatásának megakadályozása. Alkalmazzák pl. oszcillátor és végerősítő között. Célja lehet az impedancia megfelelő illesztése is. Helyes magyar elnevezése: elválasztó fokozat.
Olyan csöves, vagy tranzisztoros erősítő, amelynél a bemenő jel fél amplitúdójának felénél kisebb áram folyik, ennek következtében jelentős torzítás keletkezik. Ezt csak a rezgőkör tudja helyreállítani, tehát csak távíró üzemben használható. Előnye a nagy hatásfok. Lineáris erősítő céljára alkalmatlan.
Tulajdonképpen félvezető anyag, melyre az integrált áramkört készítik, de magát az IC-t is nevezik gyakran chip-nek. a félvezető anyagra különféle eljárásokkal viszik fel az alkotóelemeket, mint ellenállások, kondenzátorok, diódák, tranzisztorok, tekercsek, stb.
Változtatható frekvenciájú oszcillátor, melynél a visszacsatolást kapacitív osztóval állítják elő. A feszültségosztó kondenzátorok a rezgőkör részei. Készülhet csöves és tranzisztoros változatban is.
(channel-effekt). Tranzisztorokban lép fel, ha az emitter és kollektor között a félvezető kristály felületén ohmos kontaktust teremtő csatorna keletkezik. Oka lehet kívülről rárakodott szennyezés vagy a felületen növesztett rossz minőségű oxidréteg (planár tranzisztor). Kisebb csatorna kialakulása esetén romlik az áramerősítési tényező és nő a záróáram (pn-átmenet). Nagyobb csatorna a tranzisztort működésképtelenné teheti. Lásd még:
Két egymással összekapcsolt tranzisztorból álló erősítő. a kollektorok össze vannak kötve, a bemenő jel az első tranzisztor bázisára kerül, ennek a tranzisztornak az emittere közvetlenül kapcsolódik a másik bázisára. Az erősítés a két tranzisztor erősítésének szorzata. Optimális eredmény akkor érhető el, ha a bemenő és kimenő impedanciák megfelelőek.
(Direct Coupled Transistor Logic = Közvetlen (direkt) csatolású tranzisztoros logikai áramkör). Inverteres logikai áramkör, amelyben a fokozatok között külön csatolótagot nem alkalmaznak, a meghajtó tranzisztor kollektora közvetlenül a meghajtott tranzisztor bázisára kapcsolódik. A DCTL-ök előnye: egyszerű felépítés, gyors működés, kis disszipált teljesítmény, hátránya az áramelhúzásból eredő meghajtási bizonytalanság. Az először kifejlesztett integrált áramkörök felépítésűek voltak. Módosított logikai áramköröknek nevezik az előző áramköröket, ha minden egyes bemenettel egy-egy ellenállás van sorba kapcsolva. Lásd még:
1. Kondenzátorok fegyverzetei közötti szervetlen (pl. csillám, kerámia) vagy szerves (pl, papír, műanyagfólia, lakkréteg) dielektrikum.
2. Térvezérléses MOS tranzisztorok (MOSFET) vezérlőelektródája (gate) és a csatornája közötti szilícium-dioxid réteg. A fémes vezérlőelektróda, a - és az alatta levő csatorna (ami esetleg magának a szubsztrátumnak a vezérlőelektróda közelében levő része) együtt síkkondenzátort képeznek. A vezérlőelektródára kapcsolt feszültség dielektromos megoszlás folytán a csatornában ellenkező előjelű töltéshordozókat hoz létre. Ezek és a SiO2 dielektromos szigetelésben mindig jelenlevő pozitív töltések összege vezérli a forrás (source) és a nyelő (drain) közötti csatornában folyó áramot.
Lásd még:
Félvezető alapú monolit integrált áramkörökben használt ellenállás, amely általában az áramkör tranzisztorainak bázisával együtt készül, többnyire - akceptoratomok diffundáltatásával. Mivel ekkor a négyzetes ellenállás 200 W körüli érték, ezért problémát jelent a túl kicsi vagy túl nagy ellenállásérték megvalósítása. Gyakorlatilag így néhány száz ohmtól kb. tíz kiloohmig terjed a diffundált ellenállások értéke. Lásd még:
Bipoláris tranzisztor, amelynek bázisában a kisebbségi töltéshordozók diffúzió segítségével haladnak a kollektor felé. A diffúzió mint terjedési mód akkor válik jelentőssé, ha a bázisban nincs beépült elektromos tér, ami homogén bázis-szennyezés esetén valósul meg (homogén bázisszennyezettségű tranzisztor). A diffúziós működésű tranzisztor bázisában a diffúzió miatt sok töltés halmozódik fel, azért diffúziós kapacitása nagy, határfrekvenciája kicsi. Elsősorban mint hangfrekvenciás tranzisztor jelentős. Lásd még:
Az elektroncsövek és tranzisztorok adatait általában egyenfeszültségen mérik és adják meg. Váltóáramok esetében jelentős eltérések mutatkozhatnak, ezért vezették be a dinamikus jelleggörbéket, melyek jobban megfelelnek az üzemi körülményeknek.
Egy tápegységnél fontos a feszültségszabályozás. Ha ez gyors változásokra is reagál, mint pl. hirtelen csúcsok, akkor beszélünk jó dinamikus szabályozásról. Ennek hiánya károkat okozhat a készülékben, főleg tranzisztorok és IC-k esetében.
Térvezérelt tranzisztor áramgyűjtő elektródája. Közismert elnevezése: kollektor.
Szilárd anyagban, hőmérsékleti egyensúly állapotában mérhető térerősség. Fémekben általában nem jelentkezik. Félvezető anyagokban, ha a szennyezés sűrűsége vagy a tiltott energiasáv energiaszélessége a hely függvényében változik, drifttér jön létre, amielőjelétől függően - segíti vagy fékezi a szabad töltéshordozók mozgását. Beszélhetünk gyorsító vagy fékező drifttérről. A drifttranzisztorok bázisrétegébe a szennyezést úgy viszik be, hogy annak sűrűsége a kollektor felé folyamatosan csökken. Az így kialakult csökkenti a töltéshordozók - futási idejét, s ezáltal nagyobb áramerősítési tényező és nagyobb - határfrekvencia jön létre. Lásd még:
(diffundált bázisú tranzisztor). Nagyfrekvenciás tranzisztortípus. A bázisban az adalékanyag (donor vagy akceptor atomok) koncentrációja az emmitertől a kollektor felé haladva csökken. (Ezért az angol szakirodalomban használatos a graded-base transistor kifejezés is.) A helyfüggő szennyezéskoncentráció következtében a bázisban térerő jön létre, amely a kisebbségi töltéshordozók mozgását a kollektor felé elősegíti. A térerő hatására folyó áram driftáram (vezetési áram), innen származik a tranzisztor neve. A homogén bázisszennyezést úgy létesítik, hogy a szennyezőanyagokat diffúzió útján viszik be, ezért használatos a diffundált bázisú tranzisztor elnevezés is. A - határfrekvencia növekedése a drifttér hatására mintegy 5 ...10-szeres. A diffúziós technológiával sokkal keskenyebb bázisok állíthatók elő, mint ötvözéssel, ez újabb, kb. egy nagyságrenddel növeli a határfrekvenciákat. A drifttranzisztort ma már a - mesa- és planár-epitaxiális tranzisztorok kiszorították. Lásd még:
(Emitter Coupled Logic = Emittercsatolású logika). Igen nagy működési sebességű logikai rendszer, melynek tranzisztorai működés közben nem kerülnek sem telítésbe, sem a lezárási tartományba. Az alapáramkör egy differenciálerősítőből és egy áramgenerátorból áll. A fokozatok közötti csatolást emitterkövető biztosítja. Az aktív tartományban működő tranzisztorok miatt a logikai szintek közötti feszültségváltozás kis értékű. Emiatt a felhasznált ellenállások, valamint a tápfeszültség megengedhető toleranciahatára kis értékű. Az áramkörök egyes típusainál az emitterkövető 1-nél kisebb erősítése miatt a logikai szint fokozatról-fokozatra eltolódik, ezért néhány fokozat után a logikai szintet regenerálni kell.
Lásd még:
Tranzisztorok bázisának effektív, elektromos hatásos szélessége. A geometriai bázisszélességből levonódik a bázis-kollektor, ill. a bázis-emitter-átmenetnél létrejövő kiürített réteg vastagsága. Ez a tény módosítja a tranzisztor működését (bázisszélesség-moduláció, átszúrás). Lásd még:
Egyenáramú jelet és teljesítményt erősít. A különböző teljesítménysávokban a következő egyenáramú erősítőket alkalmazzák: elektroncsöves és tranzisztoros erősítők, mágneses erősítők, forgógépes erősítők, egyenáramú generátor, amplidin, vezérelt áramirányítós, tirisztoros, higanygőzös erősítők.
Erősítőeszköz nagyfrekvenciás viselkedésére jellemző menynyiség, az egységnyi teljesítmény-, feszültségvagy áramerősítéshez tartozó frekvencia. A háromféle erősítés egységerősítési frekvenciaja nem azonos. Az optimálisan megválasztott terhelőellenállás alkalmazásával mérhető egységerősítési frekvencia megegyezik a maximális rezgési frekvenciával. Az egységnyi feszültségerősítés frekvenciája általában közel azonos a sávjósággal, a bipoláris tranzisztorok földelt emitteres kapcsolásban mérhető áramerősítése pedig a tranzitfrekvencia közelében adódik. Lásd még:
Két egyforma elektroncsővel vagy tranzisztorral felépített erősítőkapcsolás. Kis torzítás és nagy teljesítmény elérésére használják. Ismeretes az olyan ellenütemű kapcsolás, amelynél a csövek vagy tranzisztorok egyenáram szempontjából párhuzamosan kapcsoltak (push pull) vagy sorba kapcsoltak (single ended push pull). A rácsokra, ill. bázisokra a vezérlő váltakozó feszültség 180°-kal eltolt ellenfázisban szimmetrizáló meghajtó transzformátorról vagy fázisfordító csőről, ill. tranzisztorról jut. A kimeneti váltakozó áram öszszege a kimeneti transzformátoron, (ill. ellenálláson vagy rezgőkörön) lép fel. Sok előnye miatt nemcsak hangfrekvenciás erősítőkben, hanem adók végfokozatában is gyakran használják. Az ellenütemű kapcsolás dolgozhat A-, AB-, B- és C-osztályú üzemben.
Csöveknél a katód és az első rész, tranzisztoroknál az emitter és a bázis között alkalmazott egyenfeszültség, amikor jel nem érkezik a bemenetre. Ezzel lehet beállítani az adott eszköz munkapontját, ahol optimális az erősítés és minimális a torzítás.
Aktív erősítőelemek (elektroncső, tranzisztor) vezérlőelektródáira adott állandó egyenfeszültség, amely a munkapont beállítására szolgál. Az előfeszültséghez adódik hozzá a vezérlőfeszültség. A többi elektródára jutó egyenfeszültséget nem előfeszültségnek nevezik, hanem a feszültség megnevezésénél utalnak arra az elektródára, amelyre a feszültség jut. Pl. anódfeszültség, kollektorfeszültség stb.
Az emitter-bázis-átmenet (ideális tranzisztor) - átmeneti kapacitása. Lásd még:
A tranzisztor működése szempontjából hasznos emitteráram és a teljes emitteráram hányadosa, az alfa áramerősítési tényező egyik alkotóeleme. npn-tranzisztor esetén (ideális tranzisztor) például a hasznos áramkomponens az emitterből a bázisba lépő elektronáram, a káros komponens a bázisból az emitterbe menő lyukáram. Az emitter, ill. a bázis adalékkoncentrációjától (adalékolás), valamint a bázis-, és bizonyos esetekben az emitterszélességtől nagymértékben függ. Jó tranzisztor esetén értéke 0,98 és 1,0 között van. Lásd még:
Félvezető rétegek egymás feletti növesztésével létrehozott tranzisztor. Különösen alkalmas nagyfrekvenciás üzemeltetéshez.
Vezéreit energiaátalakítás elvén működő (elektromos) fokozat vagy berendezés. Alkalmazása tette lehetővé az elektronika kifejlődését, ami a híradástechnika, mérés- és műszertechnika, szabályozástechnika és számítástechnika fejlődésének, s ezen keresztül általában a műszaki élet fellendülésének forrása. Az elektronikus erősítőket általában a felhasznált erősítőeszköz alapján osztályozzák, így beszélünk elektroncsöves, tranzisztoros erősítőről, de használatos a felhasználási terület (hang-, video-, mérő erősítő stb.), az átviteli frekvenciasáv (keskeny-, szélessávú, rádió, középfrekvenciás erősítő stb.) vagy a teljesítményszint (elő-, végerősítő) szerinti megkülönböztetés is.
Tranzisztorok - helyettesítő áramköréhez (pl. hibrid p helyettesítő áramkör) pótlólagosan hozzájáruló elemek, amelyek nem a belső tranzisztorhatást valósítják meg, hanem a csatlakozó részekből származnak (pl. szórt kapacitások, szórt induktivitások, soros, ill. párhuzamos - ellenállások). Az extrinsic áramköri elemek fogalma alkalmazható egyéb elektronikus elemekre is. ( Diódák, térvezérelt tranzisztorok stb.).
A legvilágosabb képrészeknek megfelelő videojel csökkentése vagy csökkenése. A fehérvágás a túlmodulálás elkerülésére szükséges, ezért a tv-központban, a keverőegységben ( fekete-fehér televízió) a videojel amplitúdóját limitálják. Ez a limitálás levágja a videojelben esetleg megjelenő, kiugró csúcsokat, amelyek átvitele felesleges, mert sem a vevőkészülék képcsöve, sem szemünk nem tudná követni a képben megjelenő vakítóan fehér részleteket. A vevőkészülékben akkor áll elő fehérvágás, ha a készülék nem tudja feldolgozni a videojel csúcsértékeit, mert a képcső (vagy az azt vezérlő erősítőfokozat csöve vagy tranzisztora) legyengült. Lásd még:
(akkumulációs réteg). Félvezetők felületén, elsősorban szigetelt elektródájú - térvezérelt tranzisztorok vezérlőelektródája alatt keletkezett réteg, melyben a külső elektromos tér vagy a felületen megkötött töltésék által keltett tér hatására a töltéshordozók száma (vagy elektronok vagy lyukak, a térirányától függően) lényegesen megnő az egyensúlyi értékhez képest. A megnőtt töltéshordozó-koncentráció növeli a vezetőképességet. Ha ez a külső vezérlést végző tér eredménye, akkor a feldúsulási réteg hasznos, ennek alapján működik a szigetelt vezérlőelektródás térvezérelt tranzisztor. Ha viszont a felületre rakódott töltések eredménye, akkor általában káros, pl. vezető csatornát létrehozva, emitter-kollektor rövidzárt okoz. Lásd még:
Félvezető alapanyagból készült, elektronikus feladatok ellátására alkalmas eszközök. Főbb csoportjaik: félvezető diódák, tranzisztorok, tirisztorok, monolit integrált áramkörök, különleges eszközök. Lásd még:
Két szembe kapcsolt Shottky-diódával felépített tranzisztor, melyeknek fémelektródája közös, és ennek két oldalán találhatók az emitterként, ill. kollektorként működő félvezető rétegek. Az egyik, emitterként szolgáló Schottky-dióda nyitóirányban van előfeszítve, a másik záróirányban, ez a kollektor. Az emitterből a bázisként szolgáló közös fémrétegbe "forró" elektronok lépnek be. Ha a fémréteg elég vékony (,100...1000 A nagyságrendű), akkor az elektronok, mielőtt "lehűlnének", azaz elveszítenék többletenergiájukat, a kollektorhoz jutnak, és ott leküzdve a fém félvezető határfelületén fellépő potenciálgátat, a kollektorba lépnek. Tehát - a tranzisztorhoz hasonlóan - a záróirányú dióda áramát nyitóirányú diódaárammal lehet vezérelni. Az igen vékony bázisréteg miatt határfrekvenciája elméletileg sokkal nagyobb lehet, mint a közönséges bipoláris tranzisztoré. A fémbázisú tranzisztor áramerősítése jelenleg még igen kicsi, technológiája igen nehéz, ezért gyakorlati jelentősége egyelőre nincs. Lásd még:
Fényenergia átalakítása elektromos energiává vagy fordítva. Az átalakítás célja lehet tiszta energiaátalakítás vagy jelátvitel. Fényenergiát elektromos energiává átalakít pl. a fényelem, a fotódióda, a fototranzisztor; elektromosenergiát fényenergiává pedig a fényemiszsziós dióda, a lézer, az izzólámpa alakít át. Lásd még:
Fényelektromos csatolás alapján működő erősítőeszköz. Lényegében tranzisztor, melynek emitterbázis-átmenete fényemissziós diódaként az emitterárammal arányos fényjelet emittál, s ezt a bázis-kollektor-átmenet mint fotodióda, újra elektromos jellé alakítja. Mivel a bázison a jel fénysebességgel halad át, ezért az áthaladási idő igen rövid, s ennél fogva a határfrekvenciája magas. A fényelektromos csatolás sajátossága következtében a visszahatás gyakorlatilag nulla. Az igen kis áramerősítési tényező, valamint a technológiai nehézségek miatt a fényelektromos erősítő egyelőre még laboratóriumi eszköznek tekinthető.
Lásd még:
Négyszöghiszterézisű ferritmag, valamint diódák, tranzisztorok felhasználásával felépített logikai áramkör. Kapcsolóeszköze mindkét irányban jól mágnesezhető, kis veszteségű ferromágneses anyagból készült gyűrű, melynek átmérője néhány mm. A gyűrűn levő bemenő tekercsre kerül a bemeneti információ, kiolvasáskor a mag a léptetőtekercs gerjesztésével billenthető át, a kimenő tekercsen jelenik meg a kiolvasott információ. A fokozatok közötti csatolás elsősorban diódás és tranzisztoros áramkörökkel történik. A tárolást a ferritmag remanenciája biztosítja. A bemenő magok kimenő tekercsei és a segédgerjesztések megfelelő megválasztásával tetszőleges logikai függvény hozható létre. A - felépítése egy, két, három ferritmag/bit rendszerben történhet. A diódákat vagy tranzisztorokat is tartalmazó - előnye: kis méret, kis súly, robusztos felépítés, olcsó előállítás, kis működési frekvencián kis energiafelvitel. Hátrányai: felső frekvenciahatára 1...2 MHz, hőmérsékletváltozásra érzékeny, kis méretű ferritmagok tekercselése bonyolult. A ferritmagos (mágnesmagos) logikai áramkörök jelentősége a szilárdtest-áramkörök megjelenése óta csökken. Jelenleg csak kisebb, speciális digitális berendezésekben használják. Lásd még:
A Field Effect Transistor szavak rövidítéséből származik az elnevezés. Olyan tranzisztorról van szó, melynél a villamos erőtér kerül kölcsönhatásba a félvezető anyaggal. Az ilyen tranzisztorokat erősítő, oszcillátor, vagy kapcsoló áramkörökben használják. Jellemzőjük a nagy bemeneti impedancia, így a bemenet alig terheli a meghajtó fokozatot. Lásd még:
A Field Effect Transistor szavak rövidítéséből származik az elnevezés. Olyan tranzisztorról van szó, melynél a villamos erőtér kerül kölcsönhatásba a félvezető anyaggal. Az ilyen tranzisztorokat erősítő, oszcillátor, vagy kapcsoló áramkörökben használják. Jellemzőjük a nagy bemeneti impedancia, így a bemenet alig terheli a meghajtó fokozatot.
Erősítő tranzisztorok bázisára, kapujára, csövek rácsára adott feszültség, amely a beérkező jel hatására nem változik. Előállítható feszültségosztóval, külön tápegységgel. Egyaránt használatos rádiófrekvenciás és hangfrekvenciás erősítőknél.
(villódzási zaj). Kísérletekkel kapott eredmények szerint sok elektronikus eszköznél (pl. elektroncsöveknél, félvezető diódáknál, tranzisztoroknál stb.) olyan zaj lép fel, melynek teljesítménysűrűsége nem egyenletes, hanem az eszközön átfolyó I áram négyzetével egyenesen és az f frekvenciával fordítottan arányos. Utóbbi jelleg széles frekvenciatartományban, 6.10-5 Hz-től több MHz-ig mutatkozik, és az ilyen spektrumú zajokat összefoglalóan flickerzajnak nevezik.
Hangrögzítési eljárás, mozgófilm-szinkronhangosítási célokra. A fotooptikai hangrögzítést hangfényképezésnek is nevezik. Kétféle eljárása ismeretes: intenzitásos és transzverzális hangfényképezés. Az intenzitásos hangfényképezés eljárása: a rögzítendő hangot mikrofon alakítja át hangfrekvenciás feszültséggé; majd erősítővel megfelelő szintre erősítik. A felerősített hangfrekvenciás feszültséget egy Kerr-cellába vezetik. A Kerr-cella két Nicol-prizma között elhelyezett, nitrobenzollal töltött edény, amelybe kondenzátorlemezek merülnek. A Nicol-prizmák egymáshoz képest elfordított polarizációs síkja miatt a fénysugár nem tud rajtuk keresztül hatolni. Ha a Kerr-cella kondenzátorlemezeire feszültséget kapcsolunk, a nitrobenzolon áthaladó fénysugár polarizációs síkja úgy fordul el, hogy ezáltal a fény mindkét Nicol-prizmán áthatolhat. A polarizációs sík elfordulásának nagysága a rákapcsolt feszültséggel arányos. Ezt a jelenséget Kerr-jelenségnek nevezik. A jelenség időállandója nagyon kicsi, ezért a fénysugár erőssége nagy frekvenciával és gyakorlatilag lineárisan modulálható. A Kerr-cellán keresztüljutó fénynyaláb intenzitása a cellára kapcsolt hangfrekvenciás feszültséggel arányosan ingadozik. Egy fényrekeszen keresztül ezt a fényerősség-ingadozást fényképezik a fényérzékeny filmre, amely a mozgófilmfelvételhez hasonlóan folyamatosan halad el a fényrekesz előtt, egy fényvédő kazettában. A film előhívása és szárítása után a lefényképezett hang visszajátszható. Az előhívott filmen a fényérzékeny réteg hangcsíkján világosabb és sötétebb foltok keletkeznek, amelyek a fényintenzitás változásának nyomai. Ha a filmen levő hangcsíkot megfelelően átvilágítják, a folyamatosan továbbított filmről a hangcsík egy fotocellára vetíthető. A fotocella ezt a folyamatos fényerősségingadozást feszültségingadozássá alakítja át. Ha a hangfrekvenciás feszültséget felerősítjük és hangszóróba vezetjük, ismét hallható a filmre fényképezett hang. A modern fényhang-lejátszó berendezésekben a fotocella fotodiódával vagy fototranzisztorral is helyettesíthető. A transzverzális hangfelvételi és rögzítési eljárásnál a hangfrekvenciás váltakozó feszültséget egy hurkos oszcillográfhoz hasonló szerkezetbe vezetik. A feszültségingadozás egy tükröt mozgat a hangfrekvencia váltakozásainak ütemében. A mozgatott tükörre állandó erősségű fénysugarat vetítenek. A tükörről visszaverődő fénysugár megfelelő optikai rendszeren keresztül az egyenletes sebességgel továbbított filmszalagra jut és ennek fényérzékeny rétegében azonos erősségű, de váltakozó szélességű, hangcsík formájában rajzolja fel a rögzítendő hangképet. Az előhívott filmen levő hangcsík szintén visszajátszható a már ismertetett módon. Az intenzitásos és a transzverzális hangfényképezési eljárások közül a transzverzális a modernebb.
Planár tranzisztorok, valamint félvezető alapú integrált áramkörök gyártásakor alkalmazott technológiai eljárás. A szilíciumot fedő oxidréteg (szilicium-dioxid) nem engedi át a szilícium félvezető eszközök adalékolására használt bórt és foszfort, így az oxidréteggel a szilícium fetülete maszkolható, Úgy, hogy a bór, ill. foszfor csak bizonyos területeken tudjon bediffundálni a szilícium alaplapkába. Ehhez az oxidot e felületekről el kell távolítani. Mivel rendkívül kis felületekről van szó, ezért ez csak fotóeljárással lehetséges. Az oxidot először bevonják egy fényérzékeny lakkal, majd egy megfelelő negatívon keresztül megvilágítják. A megvilágított helyeken a lakk polimerizálódik. Az ezután következő "előhívásnál" a nem megvilágított lakk leoldódik, a polimerizálódott lakk nem. Ezután a szeletkét marószerbe (HF) mártják, ahol az oxid a lakkal nem bontott részekről leoldódik, és a szilícium felületét nem védi. Az ezután következő diffúziós lépésnél a bór vagy foszfor adalékanyag ezeken a felületeken be tud hatolni a szilíciumba, míg az oxiddal védett felületeken nem. Így szabályozott alakú és mélységű ph-átmenetek hozhatók létre. A fotoreziszt-technika igen termelékeny, az ezzel gyártott félvezető eszközök különlegesen megbízhatók. Lásd még:
Fény érzékelésére használható tranzisztor. A kollektor-bázis-átmenet - fotodiódaként működik, így rajta keresztül fotóáram keletkezik. Ezt a fotóáramot mint bázisáramot a tranzisztor felerősíti, így a kollektoráram a fotóáram felerősített értékét tartalmazza. Ezért a fototranzisztor érzékenyebb, mint a fotodióda. Lásd még:
Frekvencia mérésére szolgáló készülék, melynek számos változata van. Újabban a frekvencia számláló terjedt el, korábban az amatőrök alkalmazták az abszorpciós frekvenciamérőt, amely hangolható rezgőkört, egyenirányítót és jelző műszert tartalmazott; ennek pontossága csekély volt. Valamivel pontosabb volt a grid-dip mérő, amely csöves és tranzisztoros kivitelben készült, az erősítő elem fokozta a pontosságot. Ennél pontosabb a heterodin-rendszerű frekvenciamérő, amely változtatható frekvenciájú oszcillátort, keverőt, egyenirányítót és jelző műszert tartalmaz, a helyi vett jel üttetésével kellett beállítani a nulla eltérést, melyet a műszer jelez. Igen nagy frekvenciákon használható a Lecher-vezetékes frekvencia mérés és a hangolható üregrezonátoros frekvenciamérő.
Olyan áramkör, amely szinuszos bemeneti áramból (feszültségből) annak előírt felharmonikusait állítja elő a kimeneten. Elvileg minden nemlineáris áramköri elem felhasználható frekvenciasokszorozásra. A nemlineáris elem lehet passzív, pl. ellenállás, dióda, vagy aktív, pl. tranzisztor, ill. az ezekből előállított áramkör, pl. Schmitt-trigger.
A FET, vagy térhatású, ill. tértöltéssel működő tranzisztorok kis zajú erősítő eszközök. Ennek egyik fajtája a gallium-arzenid tranzisztor, rövidítve Ga As félvezető, ill. GaAsFET. Ideálisan alkalmazható URH és mikrohullámú előerősítőkhöz, ahol a kis zaj lényeges.
A periódusos rendszer negyedik oszlopában helyet foglaló elem, melynek rendszáma 32, atomsúlya 73. A természetben vegyületeiben fordul elő. Gyémántrácsban kristályosodik. Rendszáma: 32, atomsúlya: 72,60, olvadáspontja: 958 °C. Atomsűrűsége: 4,42 . 1028 atom/m3, relatív dielektromos állandója: 16.
Tiszta állapotban jó szigetelő, adagolt szennyező anyagok hatására félvezetővé válik. Korábban diódák, tranzisztorok gyártására használták, ma a szilícium majdnem minden területen kiszorította. Diódaként előnyük, hogy a feszültségesés csak fele akkora, mint szilícium esetében.
A hangfrekvenciás sáv erősítésére alkalmas elektroncsöves, tranzisztoros vagy integrált áramkörű erősítő. Rendeltetéstől függően megkülönböztetünk hangfrekvenciás feszültség vagy előhangerősítőt, ill. hangfrekvenciás teljesítmény hangerősítőt. A hi-fi technikában használt hangerősítők műszaki jellemzőinek a nemzetközi ajánlásokban előírt normákat kell elérniök.
Több bemenettel ellátott hangfrekvenciás erősítő, amely kettő vagy több hangfrekvenciás feszültségforrás jelének meghatározott mértékű vagy tetszés szerint változtatható arányú együttes közvetítését teszi lehetővé. A bemenetre adott hangfrekvenciás feszültségek szintjét szintszabályozó potencióméterekkel állíthatjuk be kívánt mértékben. A hangkeverő rendeltetésétől függően lehet stúdiócélú vagy közhasználatú, amatőrcélú berendezés. Aktív erősítőelemei elektroncsövek, tranzisztorok vagy integrált áramkörök lehetnek. Teljesítményerősítőt általában nem tartalmaz.
Integrált áramkörökkel felépített digitális számítógépek. A generációk kialakítását a harmadik generációs számítógépek megjelenéséig döntően az áramkörök technológiai szintje határozta meg. Ennek megfelelően az első generációs számítógépek elektroncsöves, a második generációs számítógépek tranzisztoros áramkörökből épültek fel. Jelenleg a negyedik generációs számítógépeket fejlesztik, amelyeket a harmadik generációs számítógépektől számos rendszertechnikai változtatás is megkülönbözteti.
Változtatható frekvenciájú oszcillátor, melynél a frekvenciát önindukciós tekercs és kondenzátor kombinációja határozza meg, a visszacsatolást a tekercs leágazásával oldják meg. Eredetileg csővel tervezték, ma már bipoláris, vagy FET tranzisztorral alakítják ki a kapcsolást.
Szerkezeti megoldás, melynek célja a veszteségek (disszipáció) következtében keletkezett hőmennyiség átadása a környezetnek, és ezzel az alkatrészek káros felmelegedésének megakadályozása. A hőátadás a környezetnek hővezetés, hősugárzás és hőszállítás alakjában megy végbe. A hőszállítás természetes, ha a hűtőközeg mozgatását csak a hőmérséklet-különbség okozza, és mesterséges, ha a hűtőközeget ventillátor vagy szivattyú mozgatja. A hűtőközeg lehet gáznemű (a híradástechnikában rendesen levegő, ritkábban nitrogén vagy hidrogén) vagy folyadék (rendesen víz, pl. nagy teljesítményű adócsövek hűtésére, ritkábban olaj, pl. nagy teljesítményű transzformátorokban vagy fázisjavító kondenzátorokban). A vízhűtés fokozott hatású kivitele a párologtatásos hűtés. Természetes hűtés mellett is fokozható a hűtőhatás hűtőbordák alkalmazásával, melyek felülete a jó hősugárzás érdekében érdesített és fekete színű. Hűtőbordákat használnak pl. nagy teljesítményű tranzisztorok hűtésére, hogy a záróréteg hőmérséklete a megengedett határt ne lépje túl. Lásd még:
Egy bemenő jel fázisának megváltoztatására szolgáló áramkör, amely többnyire két tranzisztorból, FET-tranzisztorból, vagy csőből áll. A kimenő jel fázisa ellentétes lesz a bemenő jeléhez képest.
Bipoláris tranzisztoroknál az aktív tartománynak megfelelő állapot, amikor az emitter és a kollektor kivezetések szerepe fel van cserélve.
Külső térerő hatására a kisebbségi töltéshordozók felhalmozódása és a inverzió többségi töltéshordozók eltávolodása oly mértékben, hogy az előbbiek koncentrációja meghaladja az utóbbiakét. Az inverzió általában keskeny felületi rétegben, az inverziós rétegben következik be. Az inverzió lehet káros (pl. planár tranzisztoroknál), de hasznos is (pl. térvezérelt tranzisztor). Lásd még:
(ionimplantáció). Ionok bejuttatása félvezetőkbe, ionbombázás segítségével. Az ionok adalékanyag atomok (szilícium esetén bór-, ill. foszforatomok), melyek a beépülés következtében a kristály jól meghatározható részein n-, ill. p-típusú részeket hoznak létre. Így készíthetők diódák, tranzisztorok stb. Az ionbeültetés előnye a hagyományos tranzisztortechnológiai eljárásokkal (ötvözés, diffúzió) szemben, hogy igen kis méretek, és igen kis mélységekbe bevitt adalékolások érhetők el, a hagyományostól eltérő eloszlással. Hátránya a nehézkes, bonyolult technológia, ezért jelenleg inkább még csak laboratóriumi körülmények között alkalmazzák. Lásd még:
Kapcsolók és az azokból felépített kapcsolóáramkörök alkalmazása, tervezése, vizsgálata, működtetése. Tárgykörébe tartozik a kapcsolóeszközök vizsgálata, működési paramétereik leírása, a kapcsolóeszközök kiválasztása és felhasználása (de a tényleges kapcsolóelem, pl. tranzisztor tervezése és gyártása már nem kapcsolástechnikai feladat). Vizsgálja, hogy adott feladat elvégzésére milyen kapcsolóeszközöket célszerű alkalmazni; foglalkozik ezek optimális összekapcsolásának, illesztésének kérdéseivel (kapcsolóáramkörök analízise és szintézise). Utóbbi feladatok a kapcsolási logika tárgykörébe tartoznak, ezért leírhatók a logikai algebra módszereivel. Egyre gyakrabban alkalmazzák - főleg a kétállapotú logikai elemekkel felépített - logikai kapcsolások tervezésére és vizsgálatára a számítógépes szimulációs módszereket. A kapcsolástechnika a kapcsolókat nem mint ideális, hanem mint valóságos kapcsolóelemeket tekinti, ezért fogIalkozik a terhelhetőségi kérdések, teljesítményviszonyok és a működési időviszonyok vizsgálatával is.
(kapcsolómátri). Fémesérint kezővel, diódával, elektroncsővel tranzisztorral, vagy valamely más elektromos, mágneses elv felhasználásával felépített, kétkivezetésű vezérelt áramkör, mely egyik állapotában közel szakadást, másik állapotában közel rövidzárt képvisel. Az ideális kapcsolóáramkör frekvenciafüggetlen. A valóságos kapcsolóáramkör olyan ideális kapcsolóáramkör felhasználásával modellezhető, melynek soros átmeneti (r), párhuzamos átvezetési (R) ellenállása és söntkapacitása (C) van. A kapcsolóáramkör valamely hálózat meghatározott pontjai között létesített szakadással, ill. rövidzárral az áramkörben hirtelen feszültség- vagy áramátmeneteket létesít. Logikai hálózatokban a kapcsolóáramkörnek nevezzük az olyan több bemenetű, több kimenetű áramkört, amelynek működése a kapuáramkörök összekapcsolásától függ. Az ilyen kapcsolóáramkör szokásos további elnevezése: kapcsolómátrix. A kapcsolómátrixok néhány típusa: dekódolómátrix vagy dekódoló, kódolómátrix vagy kódoló, elosztómátrix stb. Ha a dekódolómátrix bemenetére kódolt információ érkezik (pl. bináris számrendszerben vagy binárisan kódolt decimális számrendszerben kifejezett jel), kimenetén a dekódolt információ jelenik meg. Pl. 3-bemenetű bináris dekódoló 23 kimenettel rendelkezik. A 8 kimenet közül a bemenő kód számértéke által meghatározott kimeneten - logikai IGEN-szint, a többin logikai NEM-szint jelenik meg. A kódolómátrix működése a dekódoló inverze. Az elosztómátrix a bemenetet 2n számú lehetséges kimenet közül azzal köti össze, melyei egy tt-bites binárisan kódolt jel kiválaszt. Lásd még:
A kapcsolóáramkörökben alkalmazott kétállapotú kapcsolóelem. Két munkapontban dolgozik: vagy teljesen le van zárva. ekkor az emitter-kollektor feszültség megegyezik a kívülről rákapcsolt feszültséggel és a tranzisztoron csak minimális visszáram folyik (lezárási tartomány); vagy teljesen nyitott (a telítés határán vagy telítésben dolgozik), ekkor az emitter-kollektor feszültség néhány tized V és a tranzisztoron átfolyó áramot a külső kör határozza meg. Közelítéssel az első esetben a kapcsolótranzisztor kollektorköre szakadásnak, második esetben rövidzárnak tekinthető. A kapcsolótranzisztort rendszerint a báziskör, ritkábban az emitter felől vezéreljük. A vezérlés jelei általában meredek felfutású négyszögimpulzusok, ezért a kapcsolótranzisztor igen rövid ideig tartózkodik a két rögzített munkapont közötti aktív tartományban. A kapcsolótranzisztor legfontosabb jellemzői egyrészt a maximális kapcsolható áram, másrészt a megengedhető legnagyobb zárófeszültség, kis visszáram mellett. Az impulzusüzem miatt fontos a kapcsolótranzisztor kapcsolási ideje; telítésben dolgozó tranzisztor esetében a töltéstárolás miatt a kikapcsolási idő vehet fel jelentős értéket.
Angolul GATE, a tranzisztor azon eleme, amellyel az átfolyó áramot vezérelni lehet, hasonló módon, mint csöveknél a vezérlőráccsal. FET tranzisztoroknál használatos elnevezés. MOSFET tranzisztoroknál ez másként működik és több kapu is lehet. Logikai áramkörökben a kapu vezérli a kimenet állapotát, ennek megfelelően lehet NOT (nem), AND (és) és OR (vagy) kapu.
Két mennyiség összefüggésének alakulását szemléltető görbe. Ezekkel jellemezhető egy elektroncső, tranzisztor működése, segítségével határozható meg egy aktív elem legkedvezőbb munkapont-beállítása.
Két tranzisztor összekapcsolásával létrehozott áramkör, melynek nagy az erősítése és viszonylag csekély a zaja. Az első tranzisztor földelt emitteres kapcsolású, ennek kollektora közvetlenül csatlakozik a következő tranzisztor emitterére, amely földelt bázisú erősítő. Elsősorban vevők előerősítőjeként alkalmazzák.
(cascode erősítő). Kétfokozatú erősítőkapcsolás, amelynek bemeneti fokozata földelt katódú, kimeneti fokozata földelt rácsú alapkapcsolásban működik. Elterjedt a tranzisztoros változat is. A kaszkóderősítő különösen nagy terhelőellenállás esetében - megnöveli az egyszerű földelt katódú fokozat feszültségerősítését és jelentősen csökkenti a fokozat - visszahatását. Ez utóbbi igen előnyösen kihasználható nagyfrekvenciás, elsősorban hangolt erősítőkben. Lásd még:
Valamely elektronikus eszköz (pl. elektroncső, ívkisüléses fényforrás) negatív elektródja. Az elektroncsövek legnagyobbrészt izzókatódot tartalmaznak, amely termikus emisszió által szolgáltatja az elektroncső működéséhez szükséges katód elektronokat; az elektroncsövek másik csoportja a hidegkatódos elektroncső, melyben az elektronokat hideg emisszió (téremisszió) hozza ki a katód felszínére.
Közvetlen izzításnál csak egyenáram használható, a közvetett katódoknál, amely egy kerámiahengerre felvitt elektronokat kibocsátó réteget tartalmazza, váltófeszültséggel is lehet a katódot hevíteni. Tranzisztoroknál a katódnak megfelelő elem az emitter, de ez nem igényel hevítést.
A katód fotocellákban és katód fotoelektromos sokszorozókban fotokatód van. Ugyancsak katódnak nevezik elektrolízisnél az oldatba vagy olvadékba merülő negatív elektródát, amelyen a pozitív töltésű ionok, az anionok kiválnak. Lásd még:
Képcső sugáráramerősségének vezérlése az összetett videojellel.
a) Fekete-fehér képcsövek. Kétféle vezérlési mód lehetséges, aszerint, hogy az összetett videójel a képcső első rácsát (a Wehnelt-hengert) vezérli és a katód váltakozó áram szempontjából földelt vagy pedig a jel a katódot vezérli és a rács földelt. Általában a katódvezérlés használatos. Ennek egyik oka az, hogy a képcső sugáráram-katódfeszültség karakterisztikája valamivel és különösen a könyökben meredekebb. Másik oka az, hogy egyfokozatú videoerősítőt feltételezve (ez a leggyakoribb), az erősítőcsövet (vagy tranzisztort) olyan összetett videojel vezérli, amelynek szinkroncsúcsa az anódáram (kollektoráram) karakterisztika könyöke felé néz, ami zajvédelem szempontjából kedvező, mert a nagy zajfeszültség nem tud átjutni az erősítőn.
b) Színes képcsövek három sugáráramát a három - alapszínnek megfelelő UR, UG, UY jelekkel kell vezérelni. A színes televíziókészülék (- színes televízió) két demodulátorfokozatából két - színkülönbségjel lép ki (UR- UY és UB- Uy). Ezekből - mátrix áramkörökkel előállítható akár a háram színkülönbségjel, akár a három alapszínnek megfelelő jel mint vezérlőfeszültség.
a) Színkülönbségi vezérlés. A képcső három rácsára vagy három katódjára csatlakozik a három színkülönbségjel és a három összekötött katódra vagy rácsra az UY világosságjel. Belátható, hogy a sugáráramokat az UR, Ug, UL jelek fogják vezérelni.
b) RGB-vezérlés. Így nevezik azt a vezérlési módot, amikor a képcső három rácsára vagy katódjára az UR, UG és UB jeleket vezetik és a katódot vagy a rácsot földelik.
A két vezérlési mód összehasonlítása azt mutatja, hogy:
- RGB-vezérléshez három, színkülönbségi vezérléshez négy nagy teljesítményű videovégerősítő kell;
- RGB vezérlés esetén kisebb kivezérlő feszültségek szükségesek;
- Színkülönbségi vezérlés esetén jobb a fekete-fehér vétel, mert egyetlen vezérlőjel marad: az UY , és nincs szükség három elvileg egyenlő vezérlőjelre, mint RGB esetében.
- Színkülönbségi vezérlés esetén egyetlen mátrix áramkörre van szükség, RGB esetében háromra.
Nincs egyértelműen kialakult gyakorlat, hogy az RGB- vagy a színkülönbségi vezérlés előnyösebb-e.
Lásd még:
Keverési megvalósító áramkör. Megépíthető elektroncsövek, tranzisztorok és diódák segítségével. Lásd még:
Bipoláris tranzisztorokban nagy áramsűrűségeknél fellépő jelenség, a kollektor-bázis-átmenet látszólagos elmozdulása a kollektor felé. Mivel a kiürített rétegben nagy áramsűrűségek esetén a töltéshordozók töltéssűrűsége összemérhető a helyhez kötött szennyező atomionok töltéssűrűségével, ezért a kiürített réteg bázisba eső részében az eredő töltéssűrűség nő, a kollektorba eső részében pedig csökken. Lásd még:
Elektronikus erősítőfokozatok csatolása egymáshoz vagy a vezérlő generátorhoz, ill. a fogyasztóhoz, soros - kondenzátor segítségével. A kondenzátoros csatolás kis frekvencián, egyenáramon nem biztosít átvitelt, ezért csak váltakozó áramú erősítőkben alkalmazható. Viszonylag olcsó és jó minőségű csatolóáramkört eredményez, ezért alkalmazása elterjedt. kondenzátoros csatolást alkalmazva az egyes erősítő fokozatok egyenáramú beállítása egymástól függetlenül végezhető. Többfokozatú visszacsatolt rendszerekben a csatolókondenzátorok jelenléte nemkívánt áramköri instabilitást eredményezhet. Sok tranzisztort tartalmazó rendszerekben, különösen integrált áramkörökben a kondenzátoros csatolás helyett közvetlen csatolást alkalmaznak. Lásd még:
A lavinajelenséget hasznosító tranzisztor. Bizonyos konstrukciós felépítés és külső áramköri elemek esetén a lavinatartományban dolgozó tranzisztor kollektoráram-kollektorfeszültség- karakterisztikájának egy részében az áram növekedésével csökken a feszültség, ami negatív ellenállású karakterisztikának felel meg. Az ilyen jellegű karakterisztikájú eszköz hasznosítható pl. kétállapotú kapcsolóként. Lásd még:
Három vagy több kivezetéssel rendelkező félvezető eszközök ( tranzisztorok, tirisztorok stb.) azon kivezetésének potenciálja, amelyhez külső áramköri elem nem csatlakozik, azaz szakadással van lezárva. A lebegő potenciál értéke különböző lehet, az eszközben található pn-átmenetek előfeszítésétől, a geometriai viszonyoktól stb. függően. Lásd még:
Nagyteljesítményű csövek és tranzisztorok jelentős mennyiségű hőt termelnek, ezért gondoskodni kell a hő elvezetéséről. Csöveknél erre a célra ventillátorokat, tranzisztoroknál hőt elvezető lemezeket, ún. zászlókat alkalmaznak.
Olyan hálózat, amelynek áramköri elemei az áramok, ill. feszültségek nagyságától, valamint a frekvenciától és időtől függetlenül állandók. lineáris hálózatokra érvényes a szuperpozíció elve, ami számítási egyszerűsítést jelent és a linearitásból következik az is, hogy szinuszos gerjesztésre a válasz mindig szinuszos lesz. A linearitás feltételezése mindig idealizálást jelent, mivel pl. az ellenállás nagyobb feszültség hatására melegedni kezd és megváltoztatja ellenállásának értékét. Még szembetűnőbb az idealizálás aktív elemeknél, pl. tranzisztoroknál, amelyek csak kis jeleknél tartják a megadott a- és b-áramerősítési tényezőjüket. Túlvezérelve nemlineáris torzítást okoznak. Lásd még:
Elektronikus vagy mágneses (ferrites) áramkör, amely logikai feladatokat old meg. Alapáramkörökből épül fel, melyek logikai műveleteket hajtanak végre és tárolnak. A leggyakrabban használt logikai alapműveletek IN, VAGY, tagadás, NEM ÉS, NEM VAGY. Ezeket kapuáramkörök valósítják meg. A tárolást különböző típusú flip-flop áramkörök végzik.
Az elektronikus logikai áramkör általában logikai függvényt megvalósító részből és inverterből áll. A logikai függvényt realizáló rész ellenállásokból diódákból, tranzisztorokból állhat. Használatos logikai áramköri rendszerek: DCTL, DTL, ECL, RTL, TTL.
A mágneses (ferrites) logikai áramkörök általában több tekerccsel ellátott ferritmagos áramkörök. A bemenő információt egy-egy ferritgyűrű tárolja, A logikai függvényt a kimenő információt szolgáltató ferritgyűrű állítja elő a bemenő információt rögzítő ferritmagok kimenő tekercse és segédtekercsek segítségével. A mágneses logikai áramkörben az információt a ferritmag remanens indukciója tárolja. Kimenő elektromos jel a ferritmag átbillentésével nyerhető. A ferritmagos áramkörök tulajdonságai a csatolóáramkörökbe helyezett tranzisztoros erősítőkkel javíthatók. A ferrites logikai áramkör jelentősége a félvezetőtechnika, különösen a szilárdtest-áramkörök megjelenése óta csökken. Különleges célokra egyéb felépítésű logikai áramkörök is használatosak: tunneldiódás, kriotronos, fáziszáró oszcillátort tartalmazó, mikrohullámú stb.
Lásd még:
(Large-Scale Integrated circuit=Nagymértékben integrált áramkör). Olyan félvezető alapú monolit integrált áramkör, amely sok funkciót ellátó komplett egységet tartalmaz, esetleg egy készülék egész elektronikus részét. A LSI-ben levő tranzisztorok száma, mely a bonyolultság mértékét jól jellemzi, néhány száztól néhány ezerig terjedhet. Lásd még:
(Micro Alloy-Diffused Tranzistor). A microalloy tranzisztor technológiájának továbbfejlesztett változata. Az indium rétegek felvitele előtt a bázisba adalékanyagot diffundáltatnak; így a bázisban az adalékeloszlás inhomogén lesz (diffúziós működésű tranzisztor) és megnő a tranzisztor határfrekvenciája. A MADT-technológiát ma már kiszorították a korszerűbb eljárások. Lásd még:
1. A zárási tartományban működő bipoláris tranzisztorokon folyó áram. Értelmezhető emitter és kollektor maradékáram, mindkettő értéke változik a báziskör kialakításának függvényében. A zárófeszültség növelésével általában telítést mutat a -, majd nagy feszültségnél ismét növekszik, a letörési jelenségek eredményeként.
2. Elektrolitkóndenzátoron polarizáló egyenfeszültség hatására folyó egyenáram, amit szivárgási áramnak is neveznek. maradékcsillapítás. Az áramkör üzemi csillapítása ( üzemi átviteli mérték) 600 W-os ellenállások között mérve. Közelítőleg az áramkör összes erősítéseinek és összes csillapításainak a különbségével egyenlő. Innen származik az elnevezése. Ha az áramkör maradékárama az átvitt frekvenciasávban nem állandó, hanem a frekvenciától függ, azt mondjuk, hogy csillapítástorzítása van.
Lásd még:
Elektronikus erősítőn - adott kimeneti áram mellett - beállítható minimális kimeneti feszültség. A kapcsolóáramkörök fontos jellemzője, hiszen az erősítőeszköz mint kapcsoló, sarkai között ideálisan zérus értékű feszültségnek kellene fellépnie. A maradékfeszültség véges értéke csökkenti továbbá a feszültség kivezérelhetőséget ( kivezérlés) s ezzel az erősítőüzemben az elérhető hatásfokot. Elektroncsövek maradékfeszültségét gyakran a zérus rács-katód-feszültséghez tartozó kimeneti jellegörbe határozza meg, de pozitív rácsfeszültség alkalmazásával sem csökkenthető 10...30 V alá. ipoláris tranzisztorok maradékfeszültsége általában nem nagyobb 0,5...2 V-nál, sőt igen kis kollektoráram mellett néhány mV-os érték is elérhető. Lásd még:
Planár technikával készített félvezetőeszközök (diódák, tranzisztorok, integrált áramkörök), továbbá vékonyréteg- és vastagréteg-áramkörök gyártásához használatos segédeszköz, amelynek segítségével a rajzolatokat (pattern) viszik át a hordozó (szubsztrátum) felületére. Az ábrát nagyított (10...+100-szoros) léptékben készítik el és egy vagy több lépésben fényképezéssel kicsinyítik. Félvezető eszközök gyártásához fotomaszkokat vagy kevésbé sérülékeny krómmaszkokat használnak. Ez utóbbiaknál üveglapra felvitt krómréteg fedi a rajz átlátszatlan részeit. A planár technikában egymást követő lépésekben több (3...6) maszkot használnak, ezért pontos illeszkedésről kell gondoskodni. Végső kicsinyítésben egyetlen
400...2000 azonos ábrát tartalmaz; a kielégítő pontosságot léptető-fényképező kamerával (step and repeat camera) érik el. A vékony- és vastagréteg-áramkörök maszkjai nagyobb méretűek, kevésbé finom rajzolatúak, egy maszkra csak 1...20 ismétlődő ábra fér el. Ezeknél az áramköröknél fotomaszkokat vagy vékony fémlemezből kémiai marással készített fémmaszkokat használnak.
Lásd még:
Bipoláris tranzisztorok jellemzője. Az a legnagyobb frekvencia, amelyen az eszköz - veszteségmentes csatolóáramköröket feltételezve - önálló rezgésre bírható. Ezen a frekvencián a maximálisan elérhető - teljesítményerősítés egységnyi. A maximális rezgési frekvencia közelítő értéke: 0,2 ? ( (fT/rbCc)1/2, ahol fT a tranzit frekvencia; rb a bázisellenállás; Cc pedig a kollektor és bázis között mérhető visszaható kapacitás ( visszahatás). Lásd még:
Inverterek logikai áramkörök dinamikus tulajdonságainak és terhelhetőségének javítására használt kiegészítő áramkör. A -megfogódiódát az inverter kollektorára kapcsolva egy újabb tápfeszültség - megfogófeszültség - alkalmazásával a tranzisztor lezárt és vezető állapotában egyaránt kis kimenő impedancia biztosítható. A megfogódiódát tartalmazó logikai áramkörök további előnye, hogy a jelszint a megengedett terheléshatárok között a logikai hálózat bármely pontján 0 vagy a megfogófeszültség. megfogódióda alkalmazása nélkül a jelszint a terheléstől függően szabadon változik (szabad jelszintű logikai hálózat). A megfogódiódát a bázis- és kollektorkör között alkalmazva megakadályozható a tranzisztor túlvezérlésekor egyébként fellépő töltéstára, lási jelenség kialakulása. Lásd még:
Végerősítő fokozatoknál a cső, vagy tranzisztor vezérléséhez szükséges feszültség, áram, vagy teljesítmény. A meghajtó teljesítmény nagysága függ a végerősítő osztályától. A osztályban alig kell energia, C osztálynál nagy energia szükséges.
Elektronikus erősítőeszközök jellemzője, állandó kimeneti feszültség mellett az eszközön mérhető kimeneti áram változása és az ehhez tartozó bemeneti feszültség változásainak hányadosa. Általában kisjelű jellemzőnek tekintik, differenciálisan kis változások viszonyaként definiálják; tetszőlegesen nagy változások jellemzője a nagyjelű meredekség. A tipikus értéke a kisteljesítményű elektron-csöveknél; 0,1...20 mA/V, általában a csőkonstrukciótól és kismértékben a munkaponti jellemzőktől függő mennyiség. A térvezérelt tranzisztorok meredeksége ehhez hasonlóan alakul. Nagy teljesítményű elektroncsöveknél a a fenti értékhez képest nagyobb a jelentősen nagyobb felületű katód alkalmazása eredményeként. Bipoláris tranzisztorok meredekségét fizikai állandók és az eszközön folyó emitter áram határozzák meg: 1 mA áramnál kb. 38 mA/V és az árammal arányosan változik. Az arányosságtól eltérést nagy áramnál kapunk: az áram növelésével a meredekség állandósul, majd enyhe csökkenés észlelhető. A meredekség telítési értéke nem ritkán 10 A/V körül van. Lásd még:
Rendkívül kisméretű ötvözött tranzisztor. Előállítása, tulajdonságai hasonlóak az SB tranzisztoréhoz, azzal a különbséggel, hogy a microalloy tranzisztornál a felvitt indium rétegeket beötvözik a gerrmánium alaplemezkébe. A microalloy tranzisztornak ma már nincs gyakorlati jelentősége. Lásd még:
(Metall-Insulator-Semiconductor). Szigetelt vezérlőelektródájú térvezérelt tranzisztor, amelynek szigetelőrétege nem szilícium-dioxid, hanem valamilyen más dielektrikum (pl. szilícium-nitrid). A MIS stabilabb, mint a MOS, ahol oxid a szigetelőréteg, ezért gyártástechnológiája bonyolultabb. Lásd még:
(félvezető alapú monolit integrált áramkör). Félvezető egykristályból, elsősorban szilíciumból készülő integrált áramkör. Az áramkör elemeit egyetlen darab kristálylemezen alakítják ki, planár-technikával, a planár-tranzisztorok hasonlóan. A diódákat a tranzisztorok kivezetéseinek megfelelő összekötésével valósítják meg, az ellenállásokat megfelelően diffundáltatott csíkokkal (bázisdiffúzió). Kapacitások lezárt pn-átmenettel valósíthatók meg, induktivitást a monolit integrált áramkörhöz kívülről kell csatlakoztatni.
Lásd még:
(Metall-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor). Szigetelt vezérlőelektródás térvezérelt tranzisztor, melyben a szigetelőréteg szilicium-oxid. Ezt a szilícium alaplapka oxidálásával állítják elő. A MOS FET igen érzékeny az oxid tisztaságára; a szennyeződések a karakterisztikák eltolódását okozhatják. Lásd még:
(Medium-Scale Integrated circuit = Közepes mértékben integrált áramkör). Olyan félvezető alapú monolit integrált áramkör, amely több alapáramkört foglal magában, de bonyolultsága nem éri el egy alegység bonyolultságát. Általában egy, esetleg több komplett funkciót lát el. Az MSI-ben levő tranzisztorok száma kb. húsztól kétszázig terjedhet.
A híradástechnikában használt, egyik legfontosabb relaxációs áramkör. Olyan kétfokozatú RC- vagy galvanikus csatolású erősítő, amelynek be- és kimenete - általában RC-csatolással - össze van kötve. Az alapfrekvencián kívül igen sok felharmonikust is előállít. A multivibrátorokat a stabil állapotok száma szerint csoportosítják. Ennek alapján ismeretes szabadonfutó (önrezgő) astabil -, egystabil állapotú, azaz monostabil - két-stabil állapotú, azaz bistabil - és három-stabil állapotú multivibrátor. A multivibrátort a diszkrét áramköri technikában és az integrált áramköri technikában egyaránt sokféle célra használják. Diszkrét elemekből egyaránt felépíthető elektroncsővel és tranzisztorral működő multivibrátor. Az integrált áramköri technikában több tucat - is elhelyezhető egy tokon belül.
Ezt is kapcsolási célokra alkalmazzák a gyors kapcsolási idő miatt. Ilyen a thirisztor is.
Logikai áramkör a NEM ÉS logikai művelet megvalósítására. A NEM ÉS művelet az ÉS ( konjunkció) tagadásával nyerhető. A NÉS-kapu akkor szolgáltat logikai NEM-szintet, ha valamennyi bemenetére egyidejűleg logikai IGEN-szint kerül. A NÉS-kapuval megvalósított logikai művelet univerzális, mivel kizárólag ennek felhasználásával (a tárolást is beleértve) bármilyen logikai feladat megvalósítható. Tranzisztoros felépítésű NÉS-kapua NVAGY-kapuhoz hasonlóan építhető fel, csak az egyes változókhoz a tranzisztorokat nem párhuzamosan, hanem sorba kell kapcsolni.
Lásd még:
Növesztett eljárással előállított tranzisztor. Donor és akceptor szennyezést tartalmazó félvezető anyag olvadékából egykristályt húznak. A szennyezőanyagok koncentrációja a megszilárduló kristályban függ a kristályhúzás sebességétől, mégpedig különbözőképpen az akceptor és donor atomok esetén. Ezért változtatgatva a húzási sebességet, a megszilárduló kristály sávokban hol p-, hol n-típusú lesz. Megfelelően felszeletelve így pnp- vagy npn-tranzisztorok készíthetők. A technológia nem különösen termelékeny, a hozzávezetések (különösen a bázis-hozzávezetés) létesítése nehéz, ezért jelentősége csekély, inkább tudománytörténet szempontból érdekes. Lásd még:
Nagyfeszültségű npn-tranzisztor, melynek kollektor-bázis-átmenete lényegében pin-dióda. Letörési feszültsége az 1500 V-ot is elérheti, az i réteg miatt azonban elég kicsi a béta áramerősítési tényezője. Leggyakoribb alkalmazási területe; induktív terhelések kapcsolása (tv-soreltérítő végfokozat, autógyújtás stb.). Lásd még:
Pozitív tápfeszültséggel üzemeltethető tranzisztor. Az emitter és a kollektor n-típusú, a bázis p-típusú. A kollektor és a bázis az emitterhez képest pozitív feszültséget kap. A pnp-tranzisztorral együtt komplementer párt alkot. Lásd még:
Információ továbbítását, tárolását stb. elektromos és optikai úton megvalósító technika. Elektromos-fény és fényelektromos átalakítókat tartalmaz. Az optoelektronika eszközei ( fotodióda, fototranzisztor, fényemissziós dióda, lézerdióda stb.) ma már túlnyomórészt félvezető alapanyagból készülnek. Lásd még:
Mikrohullámú jelek erősítésére alkalmas tranzisztor. Az áramkiszorítás jelensége miatt nagy áramsűrűségeknél az emittereknek csak a kerülete emittál. Ugyanakkor a kiürített réteg kapacitásának csökkentése, azaz a nagy határfrekvencia megkívánja a. kis emitterterületet. Az emitter lineáris méretének csökkentésével a kerülete egyre nagyobb lesz a területéhez képest. Ezért az overlay tranzisztorban igen sok független kis emittert alakítanak ki, egy aránylag nagyfelületű bázisrétegben. A bázisrétegben, mely p-típusú, az ohmikus ellenállás csökkentésére rácsszerűen p+ diffundált csíkokat hoznak létre, és egy-egy rácspontba kerül az n+-típusú emitter. A félvezető alaptömb (n+-típusú) maga a kollektor. Az emitterekhez ablakokat nyitnak, majd 2-2 sor emittert egy fém csíkkal átfednek. Az emitterek között levő p+ báziscsíkokat ez a fém csík átfedi, rövidzárt azonban nem okoz, mert közben van egy oxidréteg. Az overlay szó ezen átfedésből származik. Lásd még:
A legrégibb és jelenleg már csak germánium teljesítménytranzisztorok előállítására alkalmazott gyártási eljárás. A megfelelő alakra vágott germánium kristályt az ötvöző adalékanyagból készült golyócskával vagy kis tárcsával, tablettával együtt kerámia vagy grafit tokba (ötvözősablonba) helyezik, amely az alkatrészek helyzetét biztosítja. Germánium esetén ötvözőanyagként leginkább indiumot és aranyat alkalmaznak. Az ötvözést hidrogén- vagy formálógáz-áramban 300... 350 °C-on csőkályhában végzik. A pn-átmenetek az ötvözés folyamán alakulnak ki.
Az ideális és a valóságos - áramkör között eltérést okozó olyan elem, mely az áramkör működését zavarja, s a tervező akaratától függetlenül, pótlólagosan jelenik meg az áramkörben. Konkrét kapcsolási elemként sohasem jelennek meg, hanem az áramkörbe beépített elemekben, vagy azok között mint nemkívánt másodlagos hatások, Passzív parazita elemek a parazitaellenállások, kapacitások, induktivitások; aktív parazita elemek a parazita félvezető diódák, tranzisztorok, tirisztorok. Utóbbiak nemkívánt erősítő vagy nemlineáris funkciót végezhetnek. Lásd még:
Külső, elsősorban elektrokémiai hatásoknak ellenálló felület, amely védi az alatta levő rétegeket. A planár tranzisztor és a szintén planár technológiával készülő félvezető alapú monolit integrált áramkör esetén a szilícium alaplemez felületét oxidálják, és a keletkező szilícium-dioxid passziválja (védi) a felületet, és az alatta levő elektromosan aktív területeket. Az említett eszközök ezért oxidvédett félvezető eszközök. Germánium alapanyagból készült tranzisztor is védhető szilícium-dioxiddal, ahhoz azonban a szilícium-dioxidot külön fel kell vinni a germánium felületére, pl. megfelelő gázhalmazállapotú vegyület passzivált felület elbontásával. egyéb módon is készíthető, (pl. üveggel, különböző lakkokkal stb.) Lásd még:
Félvezető eszközök ( diódák, bipoláris és térvezérléses - tranzisztorok, félvezető alapú integrált áramkörök) előállítására jelenleg általánosan használt eljárás. Alkalmazásának feltétele, az olyan konstrukció, hogy a kivezetések - egy kivételével - a hordozó (szubsztrát) egyik oldalán legyenek. Kb. 200mm vastag szilícium lemezek (?lapkák") felületén először - oxidálással szilícium-dioxid (SiO2 , kvarc) védőréteget alakítanak ki. Ezt kb. 0,3 mm vastag fotoreziszt (fotolakk) réteggel vonják be, utána maszkon keresztül ultraibolyafénnyel megvilágítják, majd ?előhívják". Az előhívás pl. triklór-etilénben történik. A negatív fotoreziszt a fény hatására polimerizál, így az előhívás által a nem megvilágított helyeken oldódik ki a fotoreziszt, a pozitív fotoreziszt pedig éppen ellenkezőleg, a fény hatására válik oldhatóvá. A maszkolás által így a fotoreziszttel nem védett felületrészeken pl. ammonium -fluoridos marószerrel eltávolítják a SIO2-réteget, vagyis ablakot nyitottak a védő-oxidrétegben. Az ablakokon át megy végbe az adalékanyag (donor vagy akceptor) diffúziója. Ezután újabb oxidálással második védőréteget állítanak elő és az előző műveletsort annyiszor ismétlik, ahányszori diffúziót kell alkalmazni az eszköz kialakításához. Az utolsó ablaknyitás után következő művelettel, a fémezéssel állítják elő az áramhozzávezetések csatlakoztatására és az elemek villamos összekötésére szolgáló apró fémfelületeket, vezetőcsíkokat. Az áramhozzávezető huzalokat rendszerint termokompressziós hegesztéssel kapcsolják a fémréteghez. A planár technika egyetlen szilícium lapkán több száz, esetleg néhány ezer diszkrét félvezető eszköz, vagy integrált áramkör előállítását teszi lehetővé. Az egyes diódákat, tranzisztorokat vagy áramköröket úgy választják szét, hogy a Si-hordozót gyémánt heggyel karcolják és a karcolások mentén széttördelik. A befejező műveletek: a különféle mérések és a tokozás. A planár technika erősen kiszorította a régebben használatos egyéb technológiákat, jelenleg a szilícium alapú félvezető eszközök általánosan elterjedt gyártási eljárása. Lásd még:
Epitaxiális kristálynövesztés felhasználásával készült planár tranzisztor. A kiindulás egy erősen szennyezett, kis fajlagos ellenállású, n+-típusú szilícium szelet. Ezen epitaxia segítségével gyengén szennyezett n-réteget növesztenek, majd ebben a rétegben készül a szokásos planár-eljárással a tranzisztor. Az n+ alap biztosítja a kis soros kollektorellenállást, az n epitaxiális réteg pedig a nagy letörési fésültséget. Lásd még:
Nagyfeszültségű pnp-tranzisztor, melyben a kollektor-bázis-átmenet lényegében egy pin-dióda. Letörési feszültsége az 1000 V-ot is meghaladhatja, az i-réteg miatt azonban elég kicsi a Ma áramerősítési tényezője. Leggyakrabb alkalmazási területe: kapcsolótranzisztor, induktív terhelésekre. Lásd még:
Negatív tápfeszültséggel üzemeltethető tranzisztor. Az emitter és a kollektor p-típusú, a bázis n-típusú. Az npn-tranzisztorral együtt komplementerpárt alkot. Lásd még:
(Resistor Capacitor Transistor Logic = Ellenálás - kondenzátor - tranzisztor logika). Logikai áramköri rendszer, amely az RTL (ellenálás - tranzisztor logika) működési sebességét a bázisellenál ások gyorsító kondenzátorral történő áthidalásával növeli. Működési elve egyebekben megegyezik az RTL áramkörök működésével.
(reaktanciatranzisztor). Vezérelhető reaktancia (kétpólus) megvalósítása elektroncső, ill. tranzisztor segítségével. A vezérelt reaktancia az elektroncső vagy tranzisztor kimeneti oldalán jelenik meg, ha a kimenetről a bemenetre egy reaktáns áramkör visszacsatolást hoz létre. Az elektroncső vagy tranzisztor munkapontjának változtatásával változik a kimeneten megjelenő reaktancia értéke. Lásd még:
Félvezetődióda-típus (félvezető, dióda). Lényegében egy pn-átmenetből, azaz egy p- és egy n-rétegből, továbbá hozzávezetésekből áll. A rétegdióda készülhet - ötvözéssel, planár-eljárással ( planár tranzisztor) stb. A nagyáramú diódák a szükséges nagy felület miatt kizárólag -k. Lásd még:
Gyakorlatilag a ma használatos tranzisztorok közös neve. Három rétegből (p- és n-típusú rétegekből) áll; a két szélső réteg azonos típusú. Előde a tűstranzisztor, aminek azonban ma már nincsen jelentősége. Lásd még:
(Resistor Transistor Logic) = Ellenállás=tranzisztor logika; ellenálláscsatolású tranzisztoros logika). Logikai áramköri rendszer, amelyben a logikai függvényt ellenállásokból álló hálózat valósítja meg, a kimenő jelet inverter szolgáltatja. Az áramkör - méretezésétől függően - különböző logikai műveletek realizálására használható. Az ellenállásos összegező hálózat vezérelheti a tranzisztort, ha legalább egy bemenetére logikai IGEN-szint kerül (a megvalósított logikai függvény: NEM VAGY), vezérlőjelet válthat ki akkor is, ha a bemenetekből legalább adott számú bemenetre logikai IGEN-szint kerül (többségi logikai áramkör). Az RTL áramkörök előnye az egyszerű felépítés, a kis ár, hátránya a viszonylag kis működési sebesség, s a működtetésükhöz szükséges, viszonylag nagy vezérlőfeszültség, valamint a bemenetek korlátozott száma.
Áramkör vagy készülék, valamely elektromos jellemző állandó értéken tartására. Leggyakoribb fajtája a fészültségstabilizátor, amely egyen- vagy váltakozó feszültség stabilizálását végzi. A váltakozóáramú feszültség stabilizátor mágneses anyagok telítési tulajdonságát felhasználva ( mágnesezési görbe) biztosítja az állandó kimenő váltakozó feszültséget. Az egyenáramú feszültségstabilizátor- bemenetére stabilizálatlan egyenfeszültséget kapcsolva, a kimenetén stabilizált egyenfeszültség jelenik meg. A bemenet és a kimenet között egy áteresztő -- tranzisztor vagy elektroncső található, melyet a stabilizátor elektronikája vezérel, oly módon, hogy ezen tranzisztoron eső feszültség változtatásával a kimenő egyenfeszültség állandó maradjon akkor is, ha a bemeneten változik a feszültség. Az áteresztő tranzisztoros megoldás hátránya, hogy a tranzisztoron jelentős - disszipációs teljesítmény keletkezik, aminek elvezetése egyrészt esetleg problémát okoz, másrészt rontja a hatásfokot. Az impulzusüzemű feszültségstabilizátor minimális disszipációs teljesítmény mellett jó hatásfokkal működik, s adott bemenő feszültség mellett a kimeneten különböző feszültségek állíthatók be. Hátránya a bonyolultabb felépítés és a nagy mennyiségű zavaró jel kisugárzása.
Az áramstabilizátor gyakorlatilag egyenáramot stabilizáló áramkör; tipikus alkalmazása a félvezető alapú integrált áramkörök bizonyos típusaiban található áramgenerátor áramának stabilizálása.
Lásd még:
Feszültséget közel állandó értéken tartó áramkörökben használatos, gáztöltésű elektroncső. Az egyenáramú tápfeszültséget a stabilizáló feszültségnél nagyobbra kell választani L a többletet a stabilizátorcsővel sorba kapcsolt ohmos ellenálláson - vagy jobb stabilizálás elérésére pozitív hőmérsékleti együtthatójú ellenálláson - ejteni. llyen kapcsolások -vel párhuzamosan kapcsolt fogyasztó számára a tápfeszültség-ingadozás és a terhelés két határértéke között (a terhelő áram alsó határa gyakran nulla) mintegy 0,5°%-on belül állandó feszültséget szolgáltatnak. A stabilizátorcső szokásos feszültségfokozatai: 75, 85, 100, 140, 150 V. Nagyobb feszültségek stabilizálására a - ket sorba kapcsolják; ma már nem használatosak a régebbi, 280 V-os stabilizátorcsővek, melyek több sorba kapcsolt szakaszt tartalmaztak. Nagyobb terhelésű stabilizátorokban a -stabilizátorcsővet csak feszültségösszehasonlító áramkörben, referenciafeszültség előállítására használják. A referenciafeszültség és a tényleges feszültség különbségével, a hibajellel, a stabilizáló áramkör áteresztő elemét (pl. tranzisztort) vezérlik. Léteznek kis terhelhetőségű, nagy feszültségállandóságú feszültségreferenciacsövek is. A stabilizátorcsőt újabban kiszorítják a zénerdiódák.
Szigetelőlapkán létrehozott integrált áramkör. Az áramkör passzív elemei ( ellenállás, kapacitás) a gyártás folyamán a lapkán készülnek, az aktív elemeket (- tranzisztor, dióda) kész állapotban külön beforrasztják. A szigetelő alapú integrált áramkör két csoportra osztható: a vékonyrétegáramkörök üveg alapon, vákuumgőzöléssel készülnek. Az ellenállások anyaga króm-nikkel-ötvözet, az összeköttetéseké arany. A vastagréteg-áramkörök kerámia alapon készülnek, szitanyomás segítségével. Az ellenállások és összeköttetések anyagai speciális összetételű paszták, melyeket a felvitel után a kerámia alapba beégetnek. Lásd még:
Az USA-ból származó, igen kis méretű elektroncső-sorozat (átmérő kb. 6 mm, hossza 30...40 mm), a hajlékony dumet áramhozzávezetők közvetlen beforrasztása is alig igényel helyet. A félvezető diódák és tranzisztorok általános elterjedése előtt a szubminiatür csöveket kis helyfoglalásuk miatt pl. nagyothalló készülékekben alkalmazták.
(szaturációs tartomány). Erősítők kimeneti jelleggörbéjével értelmezhető tartomány, amelyben a bemeneti vezérlést változtatva a kimenet elektromos állapota nem - vagy csak igen kis mértékben - változik. Tranzisztorok esetében a telítési tartományban mind az emitter-, mind a kollektor-bázisdióda nyitott állapotban van. Lásd még:
Olyan tranzisztor, amelynek megengedett disszipációs teljesítménye viszonylag nagy (kb. 1 W-nál nagyobb). A disszipációs határok kW nagyságig terjedhetnek; az áramhatárok néhány száz A-ig terjedhetnek; a feszültséghatár jelenleg mintegy 1500 V. Készülhet germániumból és szilíciumból. Germánium teljesítménytranzisztorok szinte kizárólag - ötvözött tranzisztorok, jelentőségük egyre csökken. A szilícium teljesítménytranzisztorok a legkülönfélébb technológiával készülhetnek, ezek között azonban az ötvözéses tranzisztorok jelentősége nem nagy. A diffúziós technikával készült szilícium teljesítménytranzisztorok egyszeresen vagy háromszorosan diffundáltatottak. Előbbiek kis feszültségű, kis határfrekvenciájú, és olcsó típusok. Utóbbiak igen nagy feszültségűek lehetnek, határfrekvenciájuk is magasabb, de drágábbak és második letörésre hajlamosabbak. Szilícium teljesítménytranzisztorok készülnek planáris-epitaxiális tranzisztorként is. Lásd még:
Elektronikus egység vagy elem kimenetén levő elektromos jel viszszajutása a bemenetre, termikus úton. Főként olyan elemeknél jelentős, melyek elektromos jellemzői erősen függnek a hőmérséklettől. Ilyenek a félvezető alapanyagból készült eszközök ( dióda, tranzisztor, integrált áramkör stb.). A termikus visszacsatolás úgy is értelmezhető, hogy az elektromos változás termikus változást okoz, s ez újabb elektromos változáshoz vezet. Ilyen folyamat megy végbe pl. a hőmegfutás esetén. Lásd még:
Diódák, tranzisztorok, integrált áramkörök, tirisztorok, egyéb félvezető eszközök külső házának hőmérséklete. A disszipációs teljesítmény miatt mindig magasabb a környezeti hőmérsékletnél, de alacsonyabb a kristályhőmérsékletnél. Lásd még:
Elektronikus segédeszközök főképp félvezető diódák, tranzisztorok, tirisztorok, tokba zárása, ami a gyártás során a végső mérést megelőző utolsó művelet. Célja a benne levő alkatrész(ek) védelme atmoszférikus és mechanikus behatások ellen. A tok anyaga, üveg, fém, műanyag vagy kerámia. A lezárás történhet műanyagkiöntéssel vagy hegesztéssel; más eljárások szerint a műanyag tokot a tokba zárt alkatrészt körülvevő módon fröccsöntéssel vagy "fluidizálással" állítják elő. Szokásos kiviteli formák pl. flat pack, dual in line. tokozást gyakran alkalmaznak tekercsek, kapcsolók, jelfogók stb. védelmére, ez esetekben a tokozásoknál általában nem szükséges a megkövetelt hermetikus zárás; a tokba zárt alkatrész javítása, tisztítása, karbantartása érdekében bontható tokozást alkalmaznak.
Lásd még:
Nem minimálfázisú átviteli tényező határfrekvencián mérhető fázistolásának 45°-ot meghaladó része. Általában az osztott paraméteres helyettesítő áramkörrel jellemezhető eszközök átviteli tényezője, pl. a bipoláris tranzisztorok földelt bázisú kapcsolásban mérhető áramerősítési tényezőjének többletfázis a soha nem elhanyagolható. Lásd még:
Erősítőfokozatok váltakozó áramú csatolása egymáshoz, vagy vezérlőgenerátorhoz, ill. fogyasztóhoz transzformátor alkalmazásával. Többfokozatú elektroncsöves erősítőkben a - alkalmazásával többleterősítést lehetett elérni. A nagyerősítésű eszközök, különösen pedig a nem elhanyagolható bemeneti impedanciájú tranzisztorok megjelenésével a transzformátoros csatolás jelentősége csökkent, ma csak nagyfrekvenciás erősítőkben, vagy olyan egyéb helyeken alkalmazzák, ahol a csatolt áramköri részletek potenciális függetlensége feltétlenül biztosítandó. A teljesítményerősítő-fokozatokhoz a fogyasztó illesztésére alkalmazott csatolótranszformátor szerepe is háttérbe szorul, elsősorban a transzformátoros csatolás rossz minőségi jellemzői miatt. Lásd még:
Erősítésre használható félvezető eszköz. Működését az ideális tranzisztor határozza meg, amit a valóságban másodlagos tényezők befolyásolnak. Ilyenek az egyes félvezető rétegek soros ellenállásai, továbbá a különböző parazita elemek. Lásd még:
(Transistor-Transistor-Logic =T2L=Tranzisztor-tranzisztor logika). Logikai áramköri rendszer, amelyben a logikai fügvényt tranzisztoros felépítésű logikai áramkörök valósítják meg, a kimenő jelet inverter szolgáltatja. Az inverter biztosítja az áramkör kis kimenő impedanciáját, növeli zajtartalékát és kapacitív terhelhetőségét. A logikai függvényt TTL-ban többemitteres tranzisztorokkal valósítják meg. Integrált áramkörök leggyakrabban használt áramköri rendszere. Működési sebessége nagy, teljesítményvesztesége kicsi, nagy terhelhetőségű, könnyen gyártható. Lásd még:
Tunneldióda negatív ellenállású szakaszát felhasználó, gyorsműködésű logikai áramkör. Az alapáramkörök ellenállásos - összeadóegységéből és a munkaellenállás segítségével a karakterisztika kezdeti pozitív szakaszára beállított munkapontú tunneldiódából állnak. Az egydiódás áramkörökből ÉS-kapu, - VAGY kapu stb. készíthető. Több bemenetű ÉS kapu esetén a kezdeti, nyugalmi munkapont úgy választható meg, hogy csak valamennyi bemenet egyidejű gerjesztésekor kerüljön át munkapont a negatív ellenállású szakaszon át a nagy feszültségszintű pozitív ellenállású szakaszra. VAGY-kapu bármely bemenetét gerjesztve a munkapont a kisfeszültségű pozitív ellenállású szakaszról a nagyfeszültségű pozitív ellenállású szakaszra kerül, és a gerjesztés megszűnése után is ott marad. A visszaállítás nyugalmi munkapontba visszaállító impulzus segítségével történhet. A tunneldiódás fokozat áramerősítési tényezője egynél nagyobb, ezért több további fokozat meghajtására alkalmazhatók. Tulajdonságai javíthatók két tunneIdiódás alapkapcsolásokból felépített áramkörökkel (Goto áramkör), tunneldióda és tranzisztor együttes alkalmazásával. Az utóbbival 0,5 ns körüli működési idő érhető el. Lásd még:
Tv-vevőkészülék szerelvény, amely az UHF frekvenciatartományban az antennabemenettől a transzponálófokozat középfrekvenciás kimenetéig működő fokozatokat foglalja mechanikai egységbe. Az UHF hangolóegységgel a 470...860 MHz, tehát közel 400 MHz terjedelmű frekvenciatartományt kell átfogni, ami kb. 50 csatornát (tehát állomást) jelent. Ez az oka annak, hogy az UHF frekvenciatartomány vételére nem használnak csatornánként arretálható csatornaváltót, mint a VHF sávban, hanem folyamatos hangolást. Elektromos működés szempontjából a UHF hangolóegységekben ugyanaz a három fokozat van, mint a VHF hangolóegységekben, de az aktív elemek (tranzisztorok) száma csak kettő, mert a keverőtranzisztor önrezgő keverőkapcsolásban működik.
A rezgőköröket ebben a frekvenciatartományban, ameddig forgókondenzátorok voltak a hangolóelemek, nem lehetett koncentrált elemekkel felépíteni, mert túl kis tekercsméretek adódtak. A rezgőkörök helyett nyitott fél hulIámhosszú vagy rövidrezárt negyed hullámhosszú tápvonalcsonkokat használtak, amelyek rezonanciafrekvenciáját változó kapacitással szabályozták. A változó kapacitás korábban forgókondenzátor volt, később varicap dióda. A varicap dióda és az egyéb alkatrészek kis mérete lehetővé tette a huzalozás olyan mérvű lerövidítését, hogy az UHF hangolóegységeket is rezgőkörökkel építsék fel. Az újabb típusokban varicap diódák és 1-2-menetű kis tekercsek képezik a rezgőköröket.
Az egész UHF tartományt sávátkapcsolás nélkül hangolják át, tehát sem mechanikai, sem elektronikus kapcsoló nem szükséges. Az előerősítő-, keverő és oszcillátorfokozatra vonatkozó követelmények megegyeznek a VHF hangolóegység fokozataira vonatkozókkal.
Lásd még:
Rádió-vevőkészülék frekvenciamodulált ultrarövidhullámú adóállomás ( rádióhullámok) vételére. A kapcsolás trióda-előfokozatokból, önrezgő trióda-keverőfokozatból, KF-erősítőből, diszkriminátorból és hangfrekvenciás részből áll. Ritkán külön készülék, általában más hullámhosszak vételére alkalmas készülékkel építik egybe. Mind elektroncsöves, mind tranzisztoros kivitelű lehet. Lásd még:
Rezgéskeltőkben, adókban, erősítőkben keletkező, nagyfrekvenciájú nemkívánatos rezgések, amelyek az üzem befolyásolása mellett csövekben, tranzisztorokban károkat is okozhatnak. Kis fojtótekercs vagy 50...100 W-os ellenállás beiktatása a rácskörbe, ill. a báziskörbe hathatós kiküszöbölési mód.
A MOSFET tranzisztorok kapuja rendkívül kényes az elektrosztatikus feltöltődésekre, ilyenek hatására könnyen tönkre mehet. Ezért két beépített, feszültség-korlátozó Zener-diódával védik a kaput túlfeszültségek ellen.
Nagy teljesítményű végerősítőknél alkalmazott hűtési mód, ahol a tranzisztort, vagy csövet ventillátor légáramával hűtik. Egyes csöveken sugárirányban elhelyezett hűtőlemezek vannak, ezek vezetik a levegőt és adják a csőben keletkező hőt a légáramlatnak. Ezért az ilyen csöveket cső alakú "kéményben" helyezik el. Hűtés nélkül a cső tönkremegy.
Teljesítményerősítésre alkalmas berendezés, amely tápáramforrásból, annak áramkörébe beiktatott fogyasztóból és (elektronikus) erősítőből áll. Az erősítő-re adott vezérlőjel a fogyasztón keresztül folyó áramnak a vezérlőjellel közel arányos változását eredményezi. Az alkalmazott erősítő leggyakrabban elektronikus (elektroncső, tranzisztor, tirisztor stb.), a tápforrás rendszerint, de nem szükségképpen közel állandó (egyen-) feszültséget szolgáltat. Lásd még:
Elektroncsöves vagy tranzisztoros rezgéskeltő tekercsegységének hangolatlan tekercse, amely a visszacsatoló feszültség induktív csatolására és legtöbbször a fázis megfordítására szolgál. Kapcsolható a rácsra, esetleg a katódra vagy az anódra, de a segédrácsra is, tranzisztornál a megfelelő elektródára.
Bipoláris tranzisztorok olyan üzeme, amikor a tranzisztor mindkét diódája lezárt állapotban van Lásd még:
|
|
|
